简单的溶剂热法合成了不同Zn/Cd比例的ZnxCd1-xS/N-GQDs复合材料。
介绍了Zn/Cd比和N-GQDs对ZnxCd1-xS/N-GQDs性能的影响。
结果表明，通过调节Zn/Cd比例可以调节复合材料的晶体结构和光电性能。随着Zn含量的增加，ZnxCd1-xS/N-GQDs复合材料由六方结构转变为立方结构，衍射峰位于六方相CdS和立方相ZnS之间。
同时，通过调节Zn/Cd比值，光电流响应和电化学阻抗具有良好的可调性。
Zn0.9Cd0.1S/N-GQDs复合材料具有较高的光电流值3.79 μA cm−2和较低的界面阻抗，优于其他Zn/Cd比例的ZnxCd1-xS/N-GQDs复合材料。
此外，N-GQDs的引入明显提高了半导体的光电性能。
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