陶瓷靶材是比较脆的靶材，通常陶瓷靶材都会绑定背板一起使用.背板除了在溅射过程中可支撑陶瓷靶材，还可以在溅射过程中起到热传递的作用.陶瓷靶材的种类很多，应用范围广泛，主要用于微电子领域，显示器用，存储等领域.陶瓷靶材作为非金属薄膜产业发展的基础材料，已得到空前的发展
陶瓷靶材的种类及各自应用
按应用来分,可分为半导体关联陶瓷靶材、显示陶瓷靶材、磁记录陶瓷靶材、光记录陶瓷靶材、超导陶瓷靶材、巨磁电阻陶瓷靶材等.
半导体关联陶瓷靶材(HfO,SiO,Si3N4,MoSi,TaSi,WSi,TiSi,PLZT,ITO,主要应用于栅极电介质膜.饨化膜,扩散阻挡膜,电容器绝缘膜,透明导电膜;
显示陶瓷靶材 ZnS—Mn,ZnS-Tb,ZnS-Sm,CaS-Eu,SrS-Ce,Si3N4,MgO ，主要应用于电致发光薄膜发光层，电致发光薄膜绝缘层
磁记录陶瓷靶材 Si3N4 ，主要应用于磁头，磁光盘(MO)保护；
光记录陶瓷耙材 Si3N4, 主要应用于光盘保护膜；
超导陶瓷靶材 YbaCuO, BiSrCaCuO ，主要应用于超导薄膜；
巨磁电阻陶瓷靶材， 主要应用于薄膜太阳能电池窗；
其它应用靶材 InO，LiNbO， BaTiO, PZT. ZnO ，主要应用于太阳能电池，压电薄膜
按化学组成，可分为氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物陶瓷靶材和硫化物陶瓷靶材等.其中平面显示ITO陶瓷靶材国内已广泛生产应用.高介电绝缘膜用陶瓷靶材和巨磁电阻陶瓷靶材具有广阔的应用前景.
陶瓷靶材的制备工艺
烘料:称量前将起始原料置于烘箱中烘料3~6小时,烘料温度为100~120
配料：将烘干的原料按照相应的化学计量比称量；
球磨：将称量好的原料以某种制备方式混料，混料时间为4~12小时，制成均匀浆料；
干燥：将制得的均匀浆料烘干；
煅烧：将烘干的粉料过筛并轻压成块状坯体置于马弗炉中，在800~950℃煅烧4~8小时，制成
球磨：将煅烧后的粉料研磨成细粉，再次球磨、烘干得到陶瓷粉料；
制坯：将制成的陶瓷粉料采用钢模手压成直径5~20mm、厚度约0.5~1.2mm的样片，将样片放入冷等静压机中，施加200~350MPa的压力，保压60~180s,制成所得陶瓷坯体；
烧结：将制成的陶瓷坯体置于马弗炉中，在1100~1200℃烧结4
冷却：自然冷却至室温，即制得某种陶瓷靶材.
注:提供的温度、时间仅当作参考数据.
陶瓷靶材的特性要求
纯度：陶瓷靶材的纯度对溅射薄膜的性能影响很大，纯度越高，溅射薄膜的均匀性和批量产品的质量的一致性越好.
密度:为了减少陶瓷靶材的气孔,提高薄膜性能,要求溅射陶瓷靶材具有高密度.
成分与结构均匀性：为保证溅射薄膜均匀，尤其在复杂的大面积镀膜应用中，必须做到靶材成分与结构均匀性好.
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