掺杂是调节半导体纳米材料性能的一种有效方法。
特别是稀土离子掺杂因其优异的光学性能而受到越来越多的关注。
然而，具有光电子结构可控的硫化铟光电材料（In2S3）量子点（QDs）的设计和合成仍然是一个挑战。
本文采用气液化学沉积法合成了掺铥的In2S3量子点。
In2S3: Tm QDs的荧光强度有很大的增强，这可以通过调节Tm3+离子的掺杂浓度来控制。
研究了In2S3: Tm量子点的光电材料特性，结果表明，In2S3: Tm量子点具有较高的光灵敏度、较短的响应/恢复时间和较长的稳定性。
此外，根据第一性原理计算，In2S3: Tm量子点光电材料结构的变化和光学性质的增强主要归因于Tm3+离子的掺杂。
合成的In2S3量子点具有良好的发光性能和光电性能，有望在光伏、光电和传感器等领域得到广泛的应用。
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