在单个芯片上实现多个器件的垂直单片集成已经成为克服材料和物理性能的基本限制的一种有前途的方法，通过集成解决方案，提供了利用其互补物理特性的独特机会，以显著提高器件性能。
在此，我们设计了一种深紫外发光二极管(DUV LED)，并集成了由p-GaN/本征GaN/n-GaN (p-i-n GaN)结构组成的乘性光电转换器(MPC)，以诱导电光转换，从而大大提高空穴注入效率。
这种p-i-n GaN结构首先通过吸收DUV光，然后产生电子空穴对，起到空穴倍增器的作用。
在p-i-n GaN结构中，新生成的电子-空穴对首先被电场分开，使多个空穴被驱动到多个量子阱中，最终促进了辐射复合，从而实现了21.6%的高壁塞效率(WPE)。
与传统的DUV led相比，WPE增强了60倍。本文所演示的单片集成策略为开发高效发光器件提供了思路。
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