沉积时间对渗氮类金刚石碳膜N-DLC碳膜表面颜色的影响

图1上目测结果表明在间隔5 min的镀膜过程中,N-DLC碳膜的颜色经历了较大变化,从黄红色到蓝绿色,沉积时间分别为10、25、30、70、75、80 min时,N-DLC薄膜的代表性颜色分别呈现黄红色、浅黄色、较亮的金黄色、灰黄色、紫蓝色和蓝绿色的变化;而从图1下看出在沉积时间为10~80 min范围内(间隔5 min)的镀膜过程中,DLC碳膜的颜色经历了较大变化,从黄红色到蓝绿色;在75 min以前颜色以黄色为主,涵盖了黄红、浅黄、金黄、灰黄等代表性颜色,在30 min时达到了较亮的金黄色,70 min后颜色加深,开始转变色调。从表1 CIE1976L*a*b*色度值变化看出:明度L*随沉积时间先略微降低,再明显增加,随后又降低,变化范围为62.58~54.68,红/绿色品坐标*变化范围为:+20.02~-20.91,黄/蓝色品坐标b*变化范围为:+13.36~-7.08,转换为Mussell表色值:仅出现了黄(Y、黄红(YR)、灰黄(GY、紫蓝PB)、蓝绿色(BG)。

沉积时间对渗氮类金刚石碳膜N-DLC碳膜表面颜色的影响

供应产品目录:

二硫化铼(ReS2)纳米片阵列薄膜

二硒化铼ReSe2薄膜

二硒化硒SnSe2薄膜

硒化后CZTSSe薄膜

二维SnSe和SnSe2薄膜

銅鋅錫硒(Cu2ZnSnSe4)薄膜

二硒化銅銦薄膜

硒化亚锡(SnSe)薄膜

铜锌锡硒Cu_2ZnSnSe_4(CZTSe)薄膜

Ag掺杂SnSe半导体薄膜

二硒化钯PdSe2薄膜

二硒化钯二维晶态薄膜

二碲化钯 PdTe2薄膜

内嵌高密度钯纳米晶的介质薄膜

钯/铂纳米薄膜

钯(Ⅱ)-锌卟啉-二氧化钛三元复合配位聚合物薄膜

单质钯薄膜/钯复合多层薄膜

钯纳米薄膜

负载钯多层复合薄膜

三碲化锆 ZrTe2薄膜

锆掺杂二氧化铪基纳米薄膜

高质量Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3薄膜

二维MoTe2薄膜

Cd1-xZnxTe多晶薄膜

二氧化锆ZrO2薄膜

二硒化钽TaSe2薄膜

二硫化钽TaS2薄膜

钽掺杂二氧化钛TiO2薄膜

二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜

纳米结构316L不锈钢基掺钽TiO_2薄膜

三硫化二铟(In2S3)薄膜

多孔三硫化二铟(In2S3)薄膜

硫化二铟(In2S3)缓冲层纳米晶薄膜

具有纳米网状结构的硫化铟纳米晶阵列薄膜

碱式硝酸铜薄膜

均匀致密的In2S3/Cu2(OH)3(NO3)复合薄膜

多孔TiO2薄膜

铜铟镓硒薄膜(CIGS)

碲化亚铁FeTe薄膜

铋碲硒Bi2Te2S薄膜

铋锑碲基热电薄膜

N型碲化铋基热电薄膜

钼钨硒MoWSe2薄膜

大尺寸WSe2薄膜

钼钨碲MoWTe2薄膜

钼硫硒MoSSe薄膜

提高柔性铜铟镓硫硒薄膜

MoO3薄膜

铋氧硒Bi2O2Se薄膜

高迁移率层状Bi2O2Se半导体薄膜

硒化铋纳米结构薄膜

c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜

用硫酸铋制备硒化铋热电薄膜

高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜

氧化铋BiOx薄膜

铋铜硒氧基类单晶薄膜

铋氧碲Bi2O2Te薄膜

铋碲硒Bi2Te2Se薄膜

p-型Bi-Sb-Te-Se温差电薄膜

Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜

铁锗碲Fe3GeTe2薄膜

大面积二维铁磁性材料Fe3GeTe2薄膜

六氰亚铁钒薄膜

室温铁磁硅锗锰半导体薄膜

BaxSr1—xTiO3铁电薄膜

含铁二氧化钛Fe^3+/TiO2复合纳米薄膜

P(VDF-TrFE)铁电薄膜

矽锗磊晶薄膜

锗-二氧化硅Ge-SiO2复合薄膜

纳米复合堆叠锌锑锗碲相变存储薄膜

含铁二氧化钛(TiO2)印迹薄膜

室温铁磁半导体Co掺杂的TiO2薄膜

(Ba,Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜

黑磷薄膜

铁磷硫FePS3薄膜

銅錫硒(Cu2SnSe3)薄膜

金属硒化物薄膜

銅(銦,鎵)硒及銅鋅錫硒薄膜

碘化镍NiI2薄膜

溴化镍NiBr2薄膜

碘化锰MnI2薄膜

铜钒磷硫CuVP2S6薄膜

二氧化钒智能温控薄膜

铜锑硫薄膜

CulnS2薄膜

CBD硫化铟薄膜

钒氧化物薄膜

铜铬磷硫CuCrP2S6薄膜

铜铁锡硫(CFTS)薄膜

铜铟硫光电薄膜

铬-氧薄膜

铜铟硒硫薄膜

铬硅碲CrSiTe3薄膜

镍铬/铬硅钴薄膜

多元Cr-Si系硅化物薄膜

碲化镉-硅基薄膜

嵌入多纳米片的碲化铬薄膜

三价铬电沉积纳米结构镀层/薄膜

铬锗碲CrGeTe3薄膜

锗镓碲硫卤玻璃薄膜

高性能锗锑碲相变薄膜

银/铬(Cr/Ag)薄膜

铜铟磷硫CuInP2S6薄膜

铜铟硫(CuInS2,简称CIS)半导体薄膜

氯化铬CrCl3薄膜

碲化钴CoTe2薄膜

钴掺杂TiO2薄膜

银钒磷硒AgVP2Se6薄膜

银纳米薄膜

银铋硫薄膜

铬-银-金薄膜

石墨烯/银复合薄膜

银金纳米线PDMS复合薄膜

聚乙烯醇/二氧化钛(PVAmO2)纳米复合薄膜

电沉积银铟硒薄膜

冷轧钯银合金薄膜

三硫化二镓Ga2S3薄膜

FeS2复合薄膜

三硒化二镓Ga2Se3薄膜

纳米砷化镓(GaAs)薄膜

砷化镓(GaAs)纳米结构薄膜

砷化镓(GaAs)多晶薄膜

GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜

镓铟硒GaInSe薄膜

铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_2,简写GIGS)薄膜

大面积铜铟镓硒(GIGS)薄膜

磷化镓GaP薄膜

柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜

硫化锌(ZnS)缓冲层薄膜

镓硫碲GaSTe薄膜

基于锗镓碲硫卤玻璃薄膜

ZnS1-x Tex薄膜

碲基硫属化合物薄膜

二硫化铪HfS2薄膜

二硒化铪HfSe2纳米薄膜

二氧化铪图案化薄膜

具有V型能带结构的锑硫硒薄膜

二氧化铪(HfO2)纳米晶态薄膜

花菁染料薄膜

碲化镉(CdTe)多晶薄膜

纳米厚度的铌基超导超薄薄膜

掺杂铌和钴元素的锆钛酸铅(PZT)薄膜

碲化铷薄膜

二碲化镍NiTe2薄膜

连续半导体薄膜

二硒化铂PtSe2薄膜

大面积的二维PtSe2薄膜

TiO2/Pt/TiO2, TiO2/TiO2/Pt和Pt/TiO2/TiO2薄膜

高迁移率层状硒氧化铋Bi2O2Se半导体薄膜

碲氧溅射薄膜

碲纳米线柔性薄膜

三硫化二锡Sn2S3薄膜

铜锌锡硫和硫化亚锡(CZTS和SnS)薄膜

銅錫鋅硒硫Cu2ZnSn(SSe)4薄膜

硫硒化镉和硫硒化锌修饰的二氧化钛薄膜

纳米二氧化钒(VO2)薄膜

半导体硫(硒)化锌-锰薄膜

无扩散阻挡层Cu-Ni-Sn三元薄膜

三元鎳磷鋁合金薄膜

钨掺杂的硫硒化镍薄膜

固溶体半导体碲硫锌多晶薄膜ZnS1-x Tex

Zn(S,O)多晶薄膜

锌基底表面超疏水薄膜

Zr-Al复合薄膜

大面积二硫化锆薄膜

BaZrS3薄膜

碲化锰MnTe薄膜

碲化镍NiTe薄膜

Cr掺杂ZnS的中间带薄膜

铜钴锡硫(硒)(CCTS(Se))薄膜

氧化石墨烯/硝酸银复合薄膜

氧化石墨烯/PDDA薄膜

硫化砷AS2S3薄膜

硫化砷非晶态半导体薄膜

硫化砷玻璃薄膜

低温生长富砷的镓砷锑薄膜

As掺杂碲镉汞薄膜

锗砷硒半导体薄膜

三硒化二铋Bi2Se3薄膜

Sb2Te3薄膜

三碲化二铋Bi2Te3薄膜

晶界调控n型碲化铋薄膜

碲化铋取向纳米柱状薄膜

碲化铋纳米薄膜

碲化铋(Bi2Te3)化合物热电薄膜

碲化镉硅基薄膜

锰铋稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

二硫化钨固体润滑薄膜

二硫化铼(ReS2)薄膜

二维二硫化钨薄膜

二碲化钛(TiTe2)过渡金属二硫化物薄膜

二维碲化铂纳米薄膜

二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜

CIGSeS/CIGSe复合薄膜

大尺寸单层硒分区掺杂二硫化钨薄膜

铜铟镓硒/硫/硒硫薄膜

具有光引出层的柔性气密性薄膜

锆钛酸铅(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,简写为PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

強介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜

强诱电体/高取向度PZT铁电薄膜

Bi2-xSbxTe3基热电薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3–CoFe2O4纳米复合薄膜

多铁性磁电复合薄膜

聚酰亚胺/纳米Al2O3复合薄膜

金刚石薄膜

直流磁控溅射ZnO薄膜

WO3-TiO2薄膜

超疏水多孔阵列碳纳米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

掺锡TiO2复合薄膜

TiO2-SiO2超亲水性薄膜

金属离子掺杂的TiO2薄膜

yyp2021.3.23

真空中不同温度下热处理的无Ti底层的DLC薄膜形貌的AFM像

图1示出了经真空中不同温度下热处理的无Ti底层的DLC薄膜形貌的AFM像(玻璃陶瓷基体,簿膜厚度0 24 pm).可以看出,无Ti底层的DLC 薄膜表面存在尺寸300- 800 m之间﹑高度小于100 nm的品粒凸起,同时还存在着一些细小分散相 这同文献报道的结果一致换言之,所制备的DLC薄膜由石墨碎片﹑布基葱和金刚石晶粒组成,各组分以新型共价键组成网架结构,从而使得DLC薄膜具有良好的力学性能凸起的晶粒相含有大量sp3杂化的碳原子,故其硬度比细小分散相的大,而石墨碎片分散相主要由sp’杂化的碳原子所构成当真空热处理的温度低于500℃时,凸起晶粒的尺寸几乎保持不变;随着温度继续升高,DLC薄膜发生石墨化,表面层碳的氧化加剧,薄膜致密性降低,故硬度和弹性模量降低;但当退火温度达到9o0 ℃时,薄膜中形成大量碳化钛硬化相,故硬度和弹性模量反而有所增大。

真空中不同温度下热处理的无Ti底层的DLC薄膜形貌的AFM像

                                                                         图1

a经真空500 ℃退火处理后无Ti底层的DLc簿膜的硬度﹑弹性模量和表面形貌几乎保持不变;经700 ℃退火处理后硬度和弹性模量有所降低;对于含Ti底层DLC,而经900℃退火处理后簿膜的硬度和弹性模量反而有所增大,这是由于高温退火导致形成大量碳化钛硬化相所致

b含Ti底层的DLC海膜的硬度和弹性模量比无Ti底层的DLC薄膜的低,热处理对弹性模量的影响不大;含Ti底层的DLC薄膜经真空400 ℃退火处理后,Ti易同氧结合形成TD:,从而同Ti的碳化过程形成竞争反应,因此薄膜内部同时含有To:和Tc

c无Ti底层的DLC薄膜经真空700 ℃热处理后摩擦系数保持不变;而经空气中500℃热处理后簿膜的摩擦系数明显降低,这是由于DLC簿膜在空气中热处理时更易发生石墨化所致

供应产品目录:

钛铝(铌)氮/碳化物(TiAl(Nb)N/C)薄膜

铌基超薄薄膜

离子束增强沉积铌(钛)薄膜

非晶铌金属氧化物薄膜

钒铝碳 V2AlC3薄膜

超薄二氧化钒薄膜

晶圆级二氧化钒薄膜

高性能二氧化钒薄膜

三氧化二钒纳米线薄膜

二氧化钒热致变色薄膜

碳化钒薄膜

钒配合物(VO2(3-FL))和碳纳米管复合薄膜

铬铝碳 Cr2AlC薄膜

沉积态贫铀(DU)薄膜

铝表面抗腐蚀多层有机复合薄膜

铝铟镓氮四元合金薄膜

压铸铝合金表面耐蚀性银基非晶薄膜

易降解的镀铝薄膜

顶层金属薄膜

BOPP/VMCPP型镀铝复合薄膜

铝合金表面(TixAly)N薄膜

铬掺杂碳基薄膜

流延聚丙烯蒸镀金属薄膜(MCP)

二氧化硅薄膜

氧化铝薄膜

以多孔碳为骨架的纳米铝热薄膜

氧化铟锡钽薄膜

钽基介质薄膜

铝合金表面耐蚀润滑一体化薄膜

非晶硅薄膜

多晶硅薄膜

含钽薄膜

抗氧化铀钽薄膜

掺钽铀薄膜

氮化铪薄膜

氧化铌(钽)薄膜

钽硅介质薄膜

钽铝合金薄膜

铌铝碳 Nb4AlC3薄膜

XRF聚酯薄膜

钒铝碳 V4AlC3薄膜

钼钨硫MoWS2薄膜

二硫化钼和硫化钼钨合金薄膜

含钼或钨薄膜

类石墨烯二硫化钨薄膜

二硫化钼MoS2薄膜

层状二硫化钼纳米薄膜

稀土掺杂MoS2薄膜

MoS2/C复合薄膜

Au NPs薄膜

MoS2/a-C复合薄膜

磁控溅射MoS2+Sb2O3防冷焊薄膜

单层/少层/多层二硫化钼纳米复合薄膜

C/N共掺MoS2复合薄膜

层状二硫化钼/石墨烯(MoS2/Graphene)薄膜

非平衡磁控溅射离子镀MoS2-Ti复合薄膜

自润滑薄膜二硫化钼(MoS2)和硬质耐磨薄膜氮化钛(TiN)

无机硫化物二硫化钼(MoS2)固体润滑薄膜

高质量的二硫化钼MoS2纳米多层薄膜

二硒化钼MoSe2薄膜

二维二硒化钼(MoSe2)薄膜

稀土掺杂MoSe2薄膜

铜铟镓硒薄膜

单层/少层/多层硒化钼(MoSe2)薄膜

铜锌锡硫硒薄膜

银掺杂硒化钼(MoSe2)薄膜

二碲化钼MoTe2薄膜

单晶二碲化钼(MoTe2)薄膜

单层/少层/多层二碲化钼(MoTe2)薄膜

二维二碲化钼(MoTe2)薄膜

半金属MoTe2薄膜

MoTe2及MoTe2/MoS2异质结薄膜

二维硒化钼薄膜

二硫化钨(WS2)薄膜

大面积MoS2/二硫化钨(WS2)薄膜

单层/少层/多层二硫化钨(WS2)复合薄膜

二硫化钨/钨掺杂类金刚石(WS2/W-DLC)复合薄膜

二硒化钨(WSe2)薄膜

大尺寸二硒化钨(WSe2)薄膜

二硒化钨(WSe2)半导体薄膜

单层/少层/多层二硒化钨(WSe2)薄膜

垂直基底生长硒化钨纳米片薄膜

过渡金属硫属化物薄膜电晶体

二碲化钨(WTe2)薄膜

二碲化钨(WTe2)和铋薄膜

掺杂VO2薄膜

二硫化锡SnS2薄膜

锡化亚锡SnS薄膜

硫化铋(Bi2 S3)薄膜

nO/SnS复合薄膜

CdS/CdS和CdS/Dy/CdS薄膜

可挠性P型氧化亚锡薄膜电晶体

含氧化亚锡颗粒的双轴取向聚酯薄膜

氧化亚锡多晶薄膜

二硫化锡/三硫化二锡/硫化亚锡异质结薄膜

锡硫化物薄膜

硫化亚锡(SnS)薄膜

电沉积硫化亚锡(SnS)薄膜

硫化亚锡(SnS)异质结薄膜

简易硫化亚锡(SnS)微米棒薄膜

聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)/硫化亚锡(SnS)纳米带柔性薄膜

硫化亚锡(SnS)敏化纳晶TiO2膜

六方氮化硼(HBN)薄膜

石墨烯-六方氮化硼(HBN)薄膜

Zn原位掺杂的P型六方氮化硼(HBN)薄膜

催化剂辅助化学气相生长高结晶六方氮化硼(HBN)薄膜

高储能效率铁电聚合物基电介质薄膜

三硒化二铟In2Se3薄膜

硒化铟(InSe和In2Se3)纳米薄膜

Cu(In,Ga)Se_2和Cu_2ZnSnSe_4薄膜

黄铜矿系薄膜

CuInSe2(CIS)薄膜

二硒化钼(MoS2)薄膜

大尺寸单层/多层/少层二硫化钼(MoS2)薄膜

二维硒化钼(MoS2)薄膜

二氧化钛纳米线/二硒化钼(MoS2)复合薄膜

二硒化铌NbSe2复合薄膜

二硫化钒VS2薄膜

氮化碳(CNx)薄膜

高氮含量氮化碳(C3N4)薄膜

射频磁控溅射沉积氮化碳(CNx)薄膜

氮化碳(CNx/TiN)复合薄膜

磷掺杂的石墨相氮化碳(CNx)薄膜

硒化锗GeSe薄膜

二元化合物硒化亚锗(GeSe)薄膜

高质量纯相GeSe多晶薄膜

Ge-In-Se硫系薄膜 锗-铟-硒薄膜

新型硒化锗GeSe无机薄膜

硫化锗GeS薄膜

硫化锗-硫化稼-硫化镉非晶薄膜

Li3PO4/GeS2复合固体电解质薄膜

锗复合磷酸锂固体电解质薄膜

硫化锗玻璃薄膜

硒化镓GaSe薄膜

硫化镓GaS薄膜

碘化铬CrI3薄膜

交叉状碘化氧铋纳米片薄膜

p型碘化亚铜CuI薄膜

CH3NH3PbI3多晶薄膜

玻璃纤维布负载碘氧化铋光催化薄膜

半導體碘化鉛薄膜

鈣鈦礦薄膜

二硫化钛TiS2薄膜

二维纳米二硫化钛TiS2薄膜

二硒化钛TiSe2薄膜

CulnSe2薄膜

CuMSe2(M=In,Ga,Ti)薄膜

Cu(In,Ga)Se2薄膜

二硒銅銦(鋁)薄膜

铟锗碲In2Ge2Te6薄膜

锗锑碲非晶薄膜

基于锗锑碲与IV族碲化物交替堆垛的多层相变薄膜

二硫化铼(ReS2)薄膜

大面积二维的二硫化铼(ReS2)薄膜

二硫化铼(ReS2)纳米片阵列薄膜

二硒化铼ReSe2薄膜

二硒化硒SnSe2薄膜

硒化后CZTSSe薄膜

二维SnSe和SnSe2薄膜

銅鋅錫硒(Cu2ZnSnSe4)薄膜

二硒化銅銦薄膜

硒化亚锡(SnSe)薄膜

铜锌锡硒Cu_2ZnSnSe_4(CZTSe)薄膜

Ag掺杂SnSe半导体薄膜

二硒化钯PdSe2薄膜

二硒化钯二维晶态薄膜

二碲化钯 PdTe2薄膜

内嵌高密度钯纳米晶的介质薄膜

钯/铂纳米薄膜

钯(Ⅱ)-锌卟啉-二氧化钛三元复合配位聚合物薄膜

yyp2021.3.23