掺铬钛酸锶Cr:SrTiO3单晶 <100> 取向单晶基片

掺铬钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构,但Nb:SrTiO3具有导电性。

掺铬钛酸锶(Nb:SrTiO3)

掺铬钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构,但NSTO具有导电性。目前我们可以提供掺铌浓度为:0.05%,0.1%,0.5% 和0.7%的Nb:SrTiO3.

SrTiO3 单晶与多种钙钛矿结构材料晶格匹配好,它是高温超导薄膜和多种氧化物薄膜优质的衬底材料,同时还广泛应用于特殊光学窗口及高质量的溅射靶材。

常规晶向:<100>、<110>、<111>±0.5o ;

抛光情况:单抛或双抛,Ra<5 Å;

常规尺寸:φ1"×0.5mm,  10×10×0.5mm,  10×5×0.5mm 。

掺铬钛酸锶Cr:SrTiO3单晶  &lt;100&gt; 取向单晶基片

相关产品

层状、片状SnS 硫化亚锡薄膜

不同形貌的SnS片状和颗粒状薄膜

SnS硫化亚锡单晶(晶体粉末)

SnS 硫化亚锡纳米线、纳米棒、纳米片、纳米颗粒、量子点

纳米级SnS 硫化亚锡

硫化亚锡微米棒薄膜

硫化亚锡纳米片阵列薄膜

上海金畔生物科技有限公司可以提供各种二维晶体材料以及晶体基片,如HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体等等;  我们提供的产品仅仅用于科研,不能用于临床,也提供二维晶体粉末材料.  

产地 :上海

纯度:99%

掺铬钛酸锶Cr:SrTiO3单晶 <100> 取向单晶基片

掺铬钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构,但Nb:SrTiO3具有导电性。

掺铬钛酸锶(Nb:SrTiO3)

掺铬钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构,但NSTO具有导电性。目前我们可以提供掺铌浓度为:0.05%,0.1%,0.5% 和0.7%的Nb:SrTiO3.

SrTiO3 单晶与多种钙钛矿结构材料晶格匹配好,它是高温超导薄膜和多种氧化物薄膜优质的衬底材料,同时还广泛应用于特殊光学窗口及高质量的溅射靶材。

常规晶向:<100>、<110>、<111>±0.5o ;

抛光情况:单抛或双抛,Ra<5 Å;

常规尺寸:φ1"×0.5mm,  10×10×0.5mm,  10×5×0.5mm 。

掺铬钛酸锶Cr:SrTiO3单晶  &lt;100&gt; 取向单晶基片

相关产品

层状、片状SnS 硫化亚锡薄膜

不同形貌的SnS片状和颗粒状薄膜

SnS硫化亚锡单晶(晶体粉末)

SnS 硫化亚锡纳米线、纳米棒、纳米片、纳米颗粒、量子点

纳米级SnS 硫化亚锡

硫化亚锡微米棒薄膜

硫化亚锡纳米片阵列薄膜

上海金畔生物科技有限公司可以提供各种二维晶体材料以及晶体基片,如HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体等等;  我们提供的产品仅仅用于科研,不能用于临床,也提供二维晶体粉末材料.  

产地 :上海

纯度:99%

掺钕钛酸锶(Nd:SrTiO3)单晶 <100>取向

掺铁钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构。目前我们可以提供掺铁浓度为:0.05%,0.04%的Fe:SrTiO3单晶基片。

掺钕钛酸锶(Nd:SrTiO3)单晶 &lt;100&gt;取向

相关产品

Ta2NiS5晶体  三元硫化物晶体

CuInP2S6晶体  硫磷化铜(铟掺杂)晶体

CuCrP2S6晶体

Bi2S3 硫化铋晶体

ZrS3 三硫化锆晶体

ZrS2 二硫化锆晶体

WS2 二硫化钨晶体

TaS2(2H) 硫化钽晶体

上海金畔生物科技有限公司可以提供各种二维晶体材料以及晶体基片,如HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体等等;  我们提供的产品仅仅用于科研,不能用于临床,也提供二维晶体粉末材料.  

产地 :上海

纯度:99%

掺铌钛酸锶Nb:SrTiO3单晶 <100><110><111>晶体基片的技术参数

掺铌钛酸锶单晶与纯钛酸锶有相似的结构,但有电导性。掺铌钛酸锶的电阻率在0.1 – 0.001 W-cm之间变化随着掺铌浓度在0.1-0.001wt%之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。

掺铌钛酸锶Nb:SrTiO3单晶  &lt;100&gt;&lt;110&gt;&lt;111&gt;晶体基片的技术参数

相关产品

BiOBr/Bi2S3复合材料

Bi2S3/Bi12O15Cl6异质光催化剂

Bi2S3/Bi4O5I2复合材料

Bi2S3/三维大孔石墨烯复合材料

Bi2S3/Bi2O2CO3异质结

E-Bi2S3/SnS2复合材料

上海金畔生物科技有限公司可以提供各种二维晶体材料以及晶体基片,如HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体等等;  我们提供的产品仅仅用于科研,不能用于临床,也提供二维晶体粉末材料.  

产地 :上海

纯度:99%

掺铬钛酸锶Cr:SrTiO3晶体基片

掺铬钛酸锶Cr:SrTiO3晶体基片

上海金畔生物科技有限公司可提供A-Z系列各种进口或者国产的薄膜、单晶、多晶体薄膜,尺寸可定制;各种基底的薄膜;品质高;有关技术资料欢迎咨询。同时提供各种二维材料;石墨烯、氮化硼、二硫化钼、CVD生长的薄膜、晶体、异质结、薄膜(蓝宝石、PET、铜膜、石英、云母、银膜、SOI基底、Si玻璃基底等各种基底)等材料。

注:可以按照客户要求加工

掺铬钛酸锶Cr:SrTiO3晶体基片

掺铬钛酸锶Cr:SrTiO3晶体基片

产品信息:

掺铬钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构,但Nb:SrTiO3具有导电性。

掺铬钛酸锶(Nb:SrTiO3

掺铬钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构,但NSTO具有导电性。目前我们可以提供掺铌浓度为:0.05%,0.1%,0.5% 和0.7%的Nb:SrTiO3.

产品供应:

磷化铟(InP)晶体基片

砷化铟(InAs)晶体

锑化铟(InSb)晶体基片

KH2PO4晶体

钽酸钾(KTaO3)晶体基片

铌钽酸钾(KTa 1-X NbXO3)晶体基片

氯化钾(KCl)晶体基片

铝酸镧(LaAlO3)晶体基片

钽酸锂(LiTaO3)晶体基片

铌酸锂(LiNbO3)晶体基片

氟化锂(LiF)晶体基片

铝酸锶钽镧(LSAT)晶体基片

镓酸锂(LiGaO2)晶体基片 (进口)

锶镁掺杂镓酸镧(LSGM)晶体

近化学计量比LiNbO3晶体(简写: SLN

铝酸镁(MgAl2O4)晶体基片

氟化镁(MgF2)晶体基片

氧化镁(MgO)晶体基片

MoSe2晶体

二硫化钼(MoS2)晶体

碲化钼(MoTe2)晶体

光学级掺镁铌酸锂(MgO:LiNbO3)晶片

铝酸钕钙(NdCaAlO4)晶体基片

单晶TiO2(金红石)掺杂NbNbTiO2

掺铌钛酸锶(Nb:SrTiO3)晶体基片

镓酸钕(NdGaO3)晶体基片

Nd3Ga5O12(简称:NGG

(Ni)单晶

钨酸铅(PbWO4)晶体基片

以上产品源于上海金畔生物科技有限公司如有其他信息或产品信息咨询我们。

掺铁钛酸锶Fe:SrTiO3晶体基片

掺铁钛酸锶Fe:SrTiO3晶体基片

掺铁钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构。目前我们可以提供掺铁浓度为:0.05%,0.04%的Fe:SrTiO3单晶基片。

掺铁钛酸锶Fe:SrTiO3晶体基片

主要性能参数

晶系

立方晶系

生长方法

火焰法

晶格常数

a=3.905Å

掺铁浓度(Fe%)

0.005%,0.04%

熔点(℃)

2080

密度

5.122(g/cm3

硬度

6-6.5mohs

热膨胀系数(/℃)

9.4×10-6

介电常数

ε=5.20

化学稳定性

在水中不溶解

热膨胀系数

10.4×10-6/k

正切损耗

~5×10-4300k ~3×10-477k

尺寸

10×3m、10×5m、10×10mm、15×15mm、20×15mm

可按照客户需求,定制特殊方向和尺寸的基片

厚度

0.5mm、1.0mm

尺寸公差

<±0.1mm

厚度公差

<±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm)

抛光

单面或双面

晶面定向精度

±0.5°

边缘定向精度

2°(特殊要求可达到1°以内)

产品目录:

CVD TMDC晶体: >10平方毫米

AgTaS3晶体 >25平方毫米

Ag3Sb晶体 >50平方毫米

Ag2Te晶体 >25平方毫米

Bi4Pb7Se13晶体 >10平方毫米

Cu2Se3晶体 >25平方毫米

AgInP2S6晶体 >50平方毫米

AgInP2Se6晶体 >25平方毫米

Cr2S3晶体 >25平方毫米

CrTe2晶体 >10平方毫米

CuBi3PbS6晶体 >25平方毫米

CuInP2Se6晶体 >50平方毫米

CuInS2晶体 >25平方毫米

GaGeTe晶体 >25平方毫米

GaPS4晶体 >10平方毫米

GeBi2Te4晶体 >25平方毫米

GeBi4Te7晶体 >25平方毫米

GeSb4Te7晶体 >50平方毫米

GeTe晶体 >10平方毫米

HfS3晶体 >50平方毫米

HgPSe3晶体 (单层和多层 )厚度可定制

In2GaBi2S6晶体 >25平方毫米

In2P3S9晶体 >10平方毫米

以上产品源于上海金畔生物科技有限公司如有其他信息或产品信息咨询我们。

掺铌钛酸锶Nb:SrTiO3晶体基片

掺铌钛酸锶Nb:SrTiO3晶体基片

产品详情:

掺铌钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构,但掺铌钛酸锶Nb:SrTiO3具有导电性。

掺铌钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构,但NSTO具有导电性。目前我们可以提供掺铌浓度为:0.05%,0.1%,0.5% 和0.7%的Nb:SrTiO3

掺铌钛酸锶Nb:SrTiO3晶体基片

掺铌钛酸锶晶体基片主要性能参数

Nb:SrTiO3 级别

A

B

C

D

Nb 浓度(wt%)

1.0

0.7

0.5

0.1

电阻率 ohm-cm

0.0035

0.0070

0.05

0.08

迁移率 cm2/vs

9.0

8.5

8.5

6.5

特点

Nb:SrTiO3SrTiO3单晶具有相似的结构,但NSTO具有导电性。电阻率范围在0.1~0.001wt%之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。

尺寸

10×310×510×1015×15,,20×1520×20

Ф15,Ф20Ф1″

厚度

0.5mm1.0mm

抛光

单面或双面

晶向

100  110  111

晶面定向精度:

±0.5°

边缘定向精度:

(特殊要求可达以内)

斜切晶片

可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜(倾斜角45°)的晶片

以上产品源于上海金畔生物科技有限公司如有其他信息或产品信息咨询我们。