利用剥离的SnS2片制备了SnS2场效应晶体管(FET)。
详细研究了真空退火和硫蒸汽退火对SnS2 FET电学和光电子性能的影响。
实验结果表明，退火后，尤其是硫蒸汽退火对SnS2 FET的电学和光电性能有很大的影响。
源漏电流随退火的减小、阈值电压的漂移以及光电流随光强变化的指数函数都与SnS2的表面状态密切相关。
与硫空位相关的圈闭机制可以很好地解释这些有趣的特征。
这些结果不仅促进了目前对二维材料中光激发载流子的产生、捕获和复合行为的理解，而且激发了在基于SnS2的光电器件中的潜在应用。
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