银酸锂忆阻薄膜的制备分为两个主要部分，一个是通过离子注入剥离技术从单晶块材中剥离出一定厚度的片酸锂单晶薄膜,并采用BCB胶将其键合到衬底上，具体的实施分为四个主要的步骤如下图1所示,另一个是利用氩离子辐照的方式对薄膜进行处理，通过引入氧空位的方式使薄膜具有忆阻特性。因此这两个部分主要用到高能离子注入技术和低能离子辐照技术。
供应产品目录：
Cr掺杂ZnS的中间带薄膜
铜钴锡硫(硒)(CCTS(Se))薄膜
氧化石墨烯/硝酸银复合薄膜
氧化石墨烯/PDDA薄膜
硫化砷AS2S3薄膜
硫化砷非晶态半导体薄膜
硫化砷玻璃薄膜
低温生长富砷的镓砷锑薄膜
As掺杂碲镉汞薄膜
锗砷硒半导体薄膜
三硒化二铋Bi2Se3薄膜
Sb2Te3薄膜
三碲化二铋Bi2Te3薄膜
晶界调控n型碲化铋薄膜
碲化铋取向纳米柱状薄膜
碲化铋纳米薄膜
碲化铋(Bi2Te3)化合物热电薄膜
碲化镉硅基薄膜
锰铋稀土(MnBiRE)磁光薄膜
二硫化銅銦薄膜
二硫化钨固体润滑薄膜
二硫化铼(ReS2)薄膜
二维二硫化钨薄膜
二碲化钛(TiTe2)过渡金属二硫化物薄膜
二维碲化铂纳米薄膜
二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜
CIGSeS/CIGSe复合薄膜
大尺寸单层硒分区掺杂二硫化钨薄膜
铜铟镓硒/硫/硒硫薄膜
具有光引出层的柔性气密性薄膜
锆钛酸铅(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,简写为PZT)薄膜
鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜
強介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜
强诱电体/高取向度PZT铁电薄膜
Bi2-xSbxTe3基热电薄膜
MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜
Pb(Zr,Ti)O3–CoFe2O4纳米复合薄膜
多铁性磁电复合薄膜
聚酰亚胺/纳米Al2O3复合薄膜
金刚石薄膜
直流磁控溅射ZnO薄膜
WO3-TiO2薄膜
超疏水多孔阵列碳纳米管薄膜
仿生超疏水性薄膜
掺锡TiO2复合薄膜
TiO2-SiO2超亲水性薄膜
yyp2021.3.31