沉积时间对渗氮类金刚石碳膜N-DLC碳膜表面颜色的影响

图1上目测结果表明在间隔5 min的镀膜过程中,N-DLC碳膜的颜色经历了较大变化,从黄红色到蓝绿色,沉积时间分别为10、25、30、70、75、80 min时,N-DLC薄膜的代表性颜色分别呈现黄红色、浅黄色、较亮的金黄色、灰黄色、紫蓝色和蓝绿色的变化;而从图1下看出在沉积时间为10~80 min范围内(间隔5 min)的镀膜过程中,DLC碳膜的颜色经历了较大变化,从黄红色到蓝绿色;在75 min以前颜色以黄色为主,涵盖了黄红、浅黄、金黄、灰黄等代表性颜色,在30 min时达到了较亮的金黄色,70 min后颜色加深,开始转变色调。从表1 CIE1976L*a*b*色度值变化看出:明度L*随沉积时间先略微降低,再明显增加,随后又降低,变化范围为62.58~54.68,红/绿色品坐标*变化范围为:+20.02~-20.91,黄/蓝色品坐标b*变化范围为:+13.36~-7.08,转换为Mussell表色值:仅出现了黄(Y、黄红(YR)、灰黄(GY、紫蓝PB)、蓝绿色(BG)。

沉积时间对渗氮类金刚石碳膜N-DLC碳膜表面颜色的影响

供应产品目录:

二硫化铼(ReS2)纳米片阵列薄膜

二硒化铼ReSe2薄膜

二硒化硒SnSe2薄膜

硒化后CZTSSe薄膜

二维SnSe和SnSe2薄膜

銅鋅錫硒(Cu2ZnSnSe4)薄膜

二硒化銅銦薄膜

硒化亚锡(SnSe)薄膜

铜锌锡硒Cu_2ZnSnSe_4(CZTSe)薄膜

Ag掺杂SnSe半导体薄膜

二硒化钯PdSe2薄膜

二硒化钯二维晶态薄膜

二碲化钯 PdTe2薄膜

内嵌高密度钯纳米晶的介质薄膜

钯/铂纳米薄膜

钯(Ⅱ)-锌卟啉-二氧化钛三元复合配位聚合物薄膜

单质钯薄膜/钯复合多层薄膜

钯纳米薄膜

负载钯多层复合薄膜

三碲化锆 ZrTe2薄膜

锆掺杂二氧化铪基纳米薄膜

高质量Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3薄膜

二维MoTe2薄膜

Cd1-xZnxTe多晶薄膜

二氧化锆ZrO2薄膜

二硒化钽TaSe2薄膜

二硫化钽TaS2薄膜

钽掺杂二氧化钛TiO2薄膜

二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜

纳米结构316L不锈钢基掺钽TiO_2薄膜

三硫化二铟(In2S3)薄膜

多孔三硫化二铟(In2S3)薄膜

硫化二铟(In2S3)缓冲层纳米晶薄膜

具有纳米网状结构的硫化铟纳米晶阵列薄膜

碱式硝酸铜薄膜

均匀致密的In2S3/Cu2(OH)3(NO3)复合薄膜

多孔TiO2薄膜

铜铟镓硒薄膜(CIGS)

碲化亚铁FeTe薄膜

铋碲硒Bi2Te2S薄膜

铋锑碲基热电薄膜

N型碲化铋基热电薄膜

钼钨硒MoWSe2薄膜

大尺寸WSe2薄膜

钼钨碲MoWTe2薄膜

钼硫硒MoSSe薄膜

提高柔性铜铟镓硫硒薄膜

MoO3薄膜

铋氧硒Bi2O2Se薄膜

高迁移率层状Bi2O2Se半导体薄膜

硒化铋纳米结构薄膜

c轴取向铋铜硒氧基氧化物热电薄膜

用硫酸铋制备硒化铋热电薄膜

高质量晶圆级硒氧化铋半导体单晶薄膜

氧化铋BiOx薄膜

铋铜硒氧基类单晶薄膜

铋氧碲Bi2O2Te薄膜

铋碲硒Bi2Te2Se薄膜

p-型Bi-Sb-Te-Se温差电薄膜

Bi2Te3-ySey温差电材料薄膜

铁锗碲Fe3GeTe2薄膜

大面积二维铁磁性材料Fe3GeTe2薄膜

六氰亚铁钒薄膜

室温铁磁硅锗锰半导体薄膜

BaxSr1—xTiO3铁电薄膜

含铁二氧化钛Fe^3+/TiO2复合纳米薄膜

P(VDF-TrFE)铁电薄膜

矽锗磊晶薄膜

锗-二氧化硅Ge-SiO2复合薄膜

纳米复合堆叠锌锑锗碲相变存储薄膜

含铁二氧化钛(TiO2)印迹薄膜

室温铁磁半导体Co掺杂的TiO2薄膜

(Ba,Sr)TiO3(简称BST)铁电薄膜

黑磷薄膜

铁磷硫FePS3薄膜

銅錫硒(Cu2SnSe3)薄膜

金属硒化物薄膜

銅(銦,鎵)硒及銅鋅錫硒薄膜

碘化镍NiI2薄膜

溴化镍NiBr2薄膜

碘化锰MnI2薄膜

铜钒磷硫CuVP2S6薄膜

二氧化钒智能温控薄膜

铜锑硫薄膜

CulnS2薄膜

CBD硫化铟薄膜

钒氧化物薄膜

铜铬磷硫CuCrP2S6薄膜

铜铁锡硫(CFTS)薄膜

铜铟硫光电薄膜

铬-氧薄膜

铜铟硒硫薄膜

铬硅碲CrSiTe3薄膜

镍铬/铬硅钴薄膜

多元Cr-Si系硅化物薄膜

碲化镉-硅基薄膜

嵌入多纳米片的碲化铬薄膜

三价铬电沉积纳米结构镀层/薄膜

铬锗碲CrGeTe3薄膜

锗镓碲硫卤玻璃薄膜

高性能锗锑碲相变薄膜

银/铬(Cr/Ag)薄膜

铜铟磷硫CuInP2S6薄膜

铜铟硫(CuInS2,简称CIS)半导体薄膜

氯化铬CrCl3薄膜

碲化钴CoTe2薄膜

钴掺杂TiO2薄膜

银钒磷硒AgVP2Se6薄膜

银纳米薄膜

银铋硫薄膜

铬-银-金薄膜

石墨烯/银复合薄膜

银金纳米线PDMS复合薄膜

聚乙烯醇/二氧化钛(PVAmO2)纳米复合薄膜

电沉积银铟硒薄膜

冷轧钯银合金薄膜

三硫化二镓Ga2S3薄膜

FeS2复合薄膜

三硒化二镓Ga2Se3薄膜

纳米砷化镓(GaAs)薄膜

砷化镓(GaAs)纳米结构薄膜

砷化镓(GaAs)多晶薄膜

GaAs/Ga2O3复合多晶薄膜

镓铟硒GaInSe薄膜

铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se_2,简写GIGS)薄膜

大面积铜铟镓硒(GIGS)薄膜

磷化镓GaP薄膜

柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜

硫化锌(ZnS)缓冲层薄膜

镓硫碲GaSTe薄膜

基于锗镓碲硫卤玻璃薄膜

ZnS1-x Tex薄膜

碲基硫属化合物薄膜

二硫化铪HfS2薄膜

二硒化铪HfSe2纳米薄膜

二氧化铪图案化薄膜

具有V型能带结构的锑硫硒薄膜

二氧化铪(HfO2)纳米晶态薄膜

花菁染料薄膜

碲化镉(CdTe)多晶薄膜

纳米厚度的铌基超导超薄薄膜

掺杂铌和钴元素的锆钛酸铅(PZT)薄膜

碲化铷薄膜

二碲化镍NiTe2薄膜

连续半导体薄膜

二硒化铂PtSe2薄膜

大面积的二维PtSe2薄膜

TiO2/Pt/TiO2, TiO2/TiO2/Pt和Pt/TiO2/TiO2薄膜

高迁移率层状硒氧化铋Bi2O2Se半导体薄膜

碲氧溅射薄膜

碲纳米线柔性薄膜

三硫化二锡Sn2S3薄膜

铜锌锡硫和硫化亚锡(CZTS和SnS)薄膜

銅錫鋅硒硫Cu2ZnSn(SSe)4薄膜

硫硒化镉和硫硒化锌修饰的二氧化钛薄膜

纳米二氧化钒(VO2)薄膜

半导体硫(硒)化锌-锰薄膜

无扩散阻挡层Cu-Ni-Sn三元薄膜

三元鎳磷鋁合金薄膜

钨掺杂的硫硒化镍薄膜

固溶体半导体碲硫锌多晶薄膜ZnS1-x Tex

Zn(S,O)多晶薄膜

锌基底表面超疏水薄膜

Zr-Al复合薄膜

大面积二硫化锆薄膜

BaZrS3薄膜

碲化锰MnTe薄膜

碲化镍NiTe薄膜

Cr掺杂ZnS的中间带薄膜

铜钴锡硫(硒)(CCTS(Se))薄膜

氧化石墨烯/硝酸银复合薄膜

氧化石墨烯/PDDA薄膜

硫化砷AS2S3薄膜

硫化砷非晶态半导体薄膜

硫化砷玻璃薄膜

低温生长富砷的镓砷锑薄膜

As掺杂碲镉汞薄膜

锗砷硒半导体薄膜

三硒化二铋Bi2Se3薄膜

Sb2Te3薄膜

三碲化二铋Bi2Te3薄膜

晶界调控n型碲化铋薄膜

碲化铋取向纳米柱状薄膜

碲化铋纳米薄膜

碲化铋(Bi2Te3)化合物热电薄膜

碲化镉硅基薄膜

锰铋稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

二硫化钨固体润滑薄膜

二硫化铼(ReS2)薄膜

二维二硫化钨薄膜

二碲化钛(TiTe2)过渡金属二硫化物薄膜

二维碲化铂纳米薄膜

二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜

CIGSeS/CIGSe复合薄膜

大尺寸单层硒分区掺杂二硫化钨薄膜

铜铟镓硒/硫/硒硫薄膜

具有光引出层的柔性气密性薄膜

锆钛酸铅(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,简写为PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

強介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜

强诱电体/高取向度PZT铁电薄膜

Bi2-xSbxTe3基热电薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3–CoFe2O4纳米复合薄膜

多铁性磁电复合薄膜

聚酰亚胺/纳米Al2O3复合薄膜

金刚石薄膜

直流磁控溅射ZnO薄膜

WO3-TiO2薄膜

超疏水多孔阵列碳纳米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

掺锡TiO2复合薄膜

TiO2-SiO2超亲水性薄膜

金属离子掺杂的TiO2薄膜

yyp2021.3.23