【产品名称】：硫化铈掺杂碳量子点纳米荧光材料

【纯度】：95%

【服务】：量子点定制服务

【保存方法】：2-8℃

【保质期】：6个月

【用途】：化工,生物产业

【供货方式】：现货

【是否进口】：否

【特色服务】：包邮

【产地/厂商】：上海金畔生物

【可售卖地】：全国

一种硫化铈掺杂碳量子点纳米荧光材料的制备方法

采用去离子水,衣糠酸,三氯化铈,配制得到A液;去离子水,硫代乙酰胺,配制得到B液;然后,在反应器中加入A液搅拌,将B液滴加到A液中,A液与B液的体积比为5:1,滴加完毕,搅拌反应30min,转移到反应釜中,盖好密封盖,置于恒温箱中,温度在180±2℃恒温,反应20~24h,得到红色悬浊液体,固液分离,液体为粗品硫化铈掺杂碳量子点纳米荧光材料;采用透析法提纯硫化铈掺杂碳量子点纳米荧光材料.

量子点定制产品目录：

二氧化硅包裹碲化镉量子点修饰顺铂

纳米Fe3O4偶联peg化Ag2S量子点修饰长春瑞滨

纳米四氧化三铁偶联peg化Ag2Se硒化银量子点修饰顺铂DDP

纳米金偶联peg化Ag2Te量子点修饰依托泊苷

纳米银偶联peg化CuInSe2(铜铟硫)量子点修饰紫杉醇PTX

纳米MnO2偶联peg化AgInS2(银铟硫)量子点修饰阿霉素

纳米二氧化锰偶联peg化AgInSe2(银铟硒)量子点修饰甲氨蝶呤

纳米SiO2偶联peg化硒化锌量子点修饰阿霉素DOX

纳米二氧化硅偶联peg化ZnSe量子点修饰紫杉醇PTX

纳米Fe3O4偶联peg化CdSe/Cds量子点修饰喜树碱CPT

纳米四氧化三铁偶联peg化CdTe/CdS量子点修饰顺铂DDP

纳米金偶联peg化CdSe/ZnSe量子点修饰吉西他滨

纳米银偶联peg化CdS量子点修饰阿霉素DOX

纳米MnO2偶联peg化CdSe硒化镉量子点修饰紫杉醇PTX

纳米二氧化锰偶联peg化CdTe量子点修饰喜树碱CPT

纳米SiO2偶联peg化ZnS量子点修饰顺铂DDP

叶酸受体修饰近红外CdTe/CdS量子点

叶酸修饰的磷脂-聚乙二醇

黑磷量子点负载镍催化剂

甲基丙酰胺修饰近红外ZnO量子点

厂家：上海金畔生物科技有限公司

与钙钛矿结构的超导体有很好的晶格匹配，极佳的铁电薄膜衬底材料。

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上海金畔生物科技有限公司可以提供各种二维晶体材料以及晶体基片，如HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体等等;  我们提供的产品仅仅用于科研,不能用于临床,也提供二维晶体粉末材料.  

产地 ：上海

纯度：99%

铝酸钇(YAIO3,简称YAP)单晶是一种与YAG单晶相似,具有 优良光学和物化性能的重要晶体基质材料,稀士和过渡金属离子掺杂的YAP晶体广泛应用于激光、闪烁、全息记录和光数据存储、电离辐照剂量计及高温超导薄膜衬底等领域。

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上海金畔生物科技有限公司可以提供各种二维晶体材料以及晶体基片，如HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体等等;  我们提供的产品仅仅用于科研,不能用于临床,也提供二维晶体粉末材料.  

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金属靶材就是高速荷能粒子轰击的目标材料。有金属类、合金类、氧化物类等等。简单说的话，例如：蒸发磁控溅射镀膜是加热蒸发镀膜……铝膜等。更换不同的靶材（如铝、铜、不锈钢、钛、镍靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。应用于显示屏的阻挡层或调色层，笔记本电脑的装饰层、电池的封装等.

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GaN易与AIN、InN等构成混晶， 能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素)。

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硒化锌(ZnSe)晶体基片广泛应用于CO2激光器的红外光学;透镜;窗口;分束器;外延基片;蒸发源的晶体片等领域.

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金属基片，包括多晶和单晶金属。单晶铝被广泛应用于基质金属。

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TeO2晶体是一种具有高品质因数的声光材料。有良好的双折射和旋光性能，沿[1 10]方向传播的声速慢;若在相同通光孔径下，用TeO2单晶制做的声光器件的分辨率可有数量级的提高，响应速度快，驱动功率小，衍射效率高，性能稳定可靠等优点。与钙钛矿结构的超导体有很好的晶格匹配，极佳的铁电薄膜衬底材料。

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NdGaO3是近十年中发展起来的新型基片，主要用作高温超导体(如YBCO)及磁性材料的外延薄膜生长用基片。由于NdGaO3与YBCO的晶格失配很小(~0.27%)， 且无结构相变， 在NdGaO3基片上可外延生长质量良好的薄膜。

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