掺铁钛酸锶Fe:SrTiO3晶体基片
掺铁钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构。目前我们可以提供掺铁浓度为：0.05％，0.04％的Fe:SrTiO3单晶基片。
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主要性能参数
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晶系
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立方晶系
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生长方法
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火焰法
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晶格常数
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a=3.905Å
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掺铁浓度(Fe%)
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0.005%,0.04%
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熔点（℃）
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2080
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密度
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5.122（g/cm3）
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硬度
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6-6.5（mohs）
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热膨胀系数（/℃）
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9.4×10-6
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介电常数
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ε=5.20
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化学稳定性
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在水中不溶解
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热膨胀系数
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10.4×10-6/k
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正切损耗
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~5×10-4（300k） ~3×10-4（77k）
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尺寸
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10×3m、10×5m、10×10mm、15×15mm、20×15mm
可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的基片
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厚度
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0.5mm、1.0mm
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尺寸公差
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<±0.1mm
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厚度公差
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<±0.015mm特殊要求可达到<±0.005mm）
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抛光
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单面或双面
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晶面定向精度
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±0.5°
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边缘定向精度
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2°（特殊要求可达到1°以内）
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产品目录：
CVD TMDC晶体： >10平方毫米
AgTaS3晶体 >25平方毫米
Ag3Sb晶体 >50平方毫米
Ag2Te晶体 >25平方毫米
Bi4Pb7Se13晶体 >10平方毫米
Cu2Se3晶体 >25平方毫米
AgInP2S6晶体 >50平方毫米
AgInP2Se6晶体 >25平方毫米
Cr2S3晶体 >25平方毫米
CrTe2晶体 >10平方毫米
CuBi3PbS6晶体 >25平方毫米
CuInP2Se6晶体 >50平方毫米
CuInS2晶体 >25平方毫米
GaGeTe晶体 >25平方毫米
GaPS4晶体 >10平方毫米
GeBi2Te4晶体 >25平方毫米
GeBi4Te7晶体 >25平方毫米
GeSb4Te7晶体 >50平方毫米
GeTe晶体 >10平方毫米
HfS3晶体 >50平方毫米
HgPSe3晶体 （单层和多层 ）厚度可定制
In2GaBi2S6晶体 >25平方毫米
In2P3S9晶体 >10平方毫米
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