CdSe/cds(发射640nm),钙钛矿量子点异质结CdSe CdS核-壳结构

CdSe/cds(发射640nm),钙钛矿量子点异质结CdSe CdS核-壳结构

钙钛矿量子点异质结构

异质结构的纳米晶体通常由一个核和一个保护壳组成,具有许多众所周知的例子,例如CdSe / CdS壳结构。

基于PeQD芯核壳纳米晶体的形成是复杂的,由于需要的离子晶体(钙钛矿)和原子晶体(合金半导体)之间创建一个异质结构。仍然可以设计这种结构,例如提出的CsPbI 3 / Mg x Zn 1- x Te QD的例子所示。当在外部电极上施加电偏压时,这种异质结构可以防止PeQD固体内部的离子迁移,从而增强其稳定性。

另一方面,硫族化物中铅与钙钛矿的晶格常数之间的出色匹配为形成一系列核壳异质结构提供了可能。

MAPbI 3PbS的晶体结构的晶格匹配。这种核壳型PbS-钙钛矿结构可以很容易地在溶液中制造,并且显示出可以增强太阳能电池的性能和稳定性。

具有钙钛矿的QD作为芯材的芯壳异质结构的实例仍然很少。CsPbI3使用三辛基膦硒化物作为硒源,可以在胶体相中直接合成/ PbSe异质结构量子点。

TEMHRTEM图像 显示了一个中心区域,该中心区域的平面间距为0.62 nm,被识别为CsPbI 3 QD

这些图像中的表面区域被标识为PbSe,与其(200)平面相关的平面间距为0.3 nm。基于这些CsPbI 3 / PbSe QD的太阳能电池不仅达到了可观的13.9%的PCE,而且在潮湿环境中的存储稳定性也大大提高。在空气中存储60小时后,这些设备保留了其初始PCE80%,而参考CsPbI 3基于设备的设备仅维护50%。

CdSe/cds(发射640nm),钙钛矿量子点异质结CdSe CdS核-壳结构

厂家:上海金畔生物科技有限公司

用途:科研

状态:固体/粉末/溶液

产地:上海

储存时间:1

保存:冷藏

储藏条件:-20

硅烯和基于硅烯的二维异质结构

硅烯和基于硅烯的二维异质结构

硅烯是硅原子排列成的蜂窝状翘曲结构。因其具有和石墨烯相似的几何构型,理论计算发现硅烯的能带结构与石墨烯类似,在布里渊区的顶角(K)也存在狄拉克锥,载流子为无质量的狄拉克费米子。由于硅原子比碳原子重,硅烯具有更强的自旋轨道耦合相互作用,理论预言有可能在硅烯中观测到量子自旋霍尔效应和量子反常霍尔效应。理论计算还发现,通过外加电场或碱金属原子吸附等方式,可以调节硅烯狄拉克点处能隙的大小。然而,由于化学性质较为活泼,硅烯在空气中极容易被氧化。

 硅烯和基于硅烯的二维异质结构

制备硅烯晶体管器件并测量了硅烯的载流子迁移率,然而,由于硅烯在空气中的不稳定性,制备的器件只存活了两分钟。另一方面,基于硅烯的异质结构也被理论预言具有优异的物理化学性质,但是由于硅在自然界中不存在类似石墨的层状体材料,硅烯并不能通过传统的机械剥离方式得到,而基于硅烯的异质结构体系也就不能通过传统的“堆叠”方式制备。因此,如何制备稳定的硅烯和基于硅烯的二维异质结构目前在实验上面临巨大挑战。

 

几年来,采用分子束外延生长方法, 制备出了大面积、高质量的石墨烯及类石墨烯二维原子晶体材料,如:外延石墨烯 ]、硅烯、锗烯、铪烯、二硒化铂与铜硒二维原子晶体 等; 实现了石墨烯的多种单质元素的插层 揭示了单晶表面上石墨烯插层的普适机制等。这一系列工作为探索新型二维材料和构筑二维材料异质结构奠定了基础。

 

STM实验与理论计算相结合,在构筑单层石墨烯“保护“的硅烯及其异质结构的研究中取得了新的进展。他在Ru(0001)衬底上生长石墨烯层,并在其下插入硅原子以构筑硅烯。同时,通过控制硅的量,在石墨烯下制备不同类型的硅烯纳米结构并通过扫描隧道显微镜(STM)成像分析。在低剂量下,在石墨烯摩尔图案的顶部(atop)区域下周期性排列的硅烯纳米片段阵列是一种新型的本征图案化的二维材料;而在较高剂量下,插入的Si形成硅烯单层。在更高的Si剂量下,在石墨烯和基底之间则形成多层硅烯。

这一系列过程得到了第一性原理计算的证实。将所制备的石墨烯/硅烯异质结构在空气中暴露两周,没有显示出可观察到的损坏,表明了其良好的空气稳定性。异质结构的垂直输运特性表现出了整流效应。

硅烯

锯齿型边缘硅烯纳米带ZSiNRs

具有电学特质的硅烯纳米带材料:非磁性杂质对锯齿形边界硅烯纳米带,硅烯和石墨烯自旋半导体纳米带,单原(Al/P)子或双原子掺杂对锯齿型硅烯纳米带,铁磁态(FM)硅烯纳米带

 

描述:硅烯纳米带有着与石墨烯纳米带类似的几何结构和奇特的电学性能,粒子数反转和宽带光增益,由单层碳原子组成的二维晶体,有很高的稳定性、导热性和低噪声,主要应用于光通信系统。

 

硅烯和石墨烯自旋半导体纳米带

石墨烯纳米带、硅烯纳米带、线性碳链和石墨烯基磁隧穿结

 

钒边缘修饰扶手椅型硅烯纳米带ASi NRs

Armchair Silicene Nhaioribbons纳米带,Zigzag Silicene Nhaioribbons纳米带

 

BN链掺杂的石墨烯纳米带

Stone-Wales缺陷zigzag型石墨烯纳米带

 

硅烯纳米带(N-ZSiNRs)异质结器件

边缘氢化硅烯纳米带(H2-ZSiNR-H1)n型氢化纳米硅/p型单晶硅异质结微电子器件,功能化扶手椅型石墨烯纳米带异质结器件

 

描述:构造了硅烯纳米带(N-ZSiNRs)异质结器件,研究了锯齿型边缘硅烯纳米带的热自旋输运性质。我们同样构造了一款左半无限长硅烯纳米带单边用一个氢原子钝化,右半无限长双边缘都由一个氢原子钝化的异质结。

 

边缘氢化硅烯纳米带(H2-ZSiNR-H1)

H1-6ZSiNR-H1/H0-6ZSiNR-Ho H1-6ZSiNR-H1/H2-6ZSiNR-H2硅烯纳米带材料

 

n型氢化纳米硅/p型单晶硅异质结

n型单晶硅/p型纳米硅/氧化铝或n型单晶硅/i型纳米硅/p型纳米硅/氧化铝

n型氢化纳米硅/p型单晶硅异质结微电子器件

 

薄膜和二维硅烯石墨烯杂化纳米复合物

具有带隙的硅烯复合材料:硅烯/碳复合负极材料,硅烯/石墨烯复合材料,,硅烯/三维半导体复合物

 

功能化扶手椅型石墨烯纳米带异质结器件

电子基团NH2和给电子基团NO2边缘取代的锯齿型石墨烯纳米带异质结器件碳纳米管/石墨烯复合异质结

 

硅烯单原子层硅薄膜

硅烯薄膜材料:二维硅烯薄膜,硅烯表面的氢吸附薄膜,石墨烯、单层硅烯薄膜

 

描述:硅烯是单原子层的硅薄膜,具有类石墨烯结构.因此拥有与石墨烯相似的各种奇特的热学,化学,光学和电学性质

 

有机硅活性中间体α呋喃基苯基硅烯

有机硅活性中间体硅烯材料:环丙基苯基硅烯(1),二(α呋喃基)硅烯,二苯基硅烯,含噻吩环硅烯

 

描述:2-(α呋喃基)-2-苯基六甲基三硅烷在光照下可产生新型的有机硅活性中间体—α呋喃基苯基硅烯

 

硅烯和二硅烯环加成反应材料

苯基环丙基硅烯与烯加成反应材料,硅烯与甲醛环加成反应材料,二氟/二氯硅烯与乙烯环加成反应材料

 

 

Li锂原子表面修饰硅烯材料

表面修饰硅烯的材料:Ag(111)表面卤化修饰单层硅烯,MnCl3超卤素来修饰硅烯材料,表面官能团修饰硅烯材料,Ca修饰的硅烯纳米材料

 

类硅烯p-络合物构型

类硅烯σ络合物构型,类硅烯四面体构型,类硅烯[CH(R)N]_2SiLiF(R=Ht-Bu),烷基对取代锂氟类硅烯R_2SiLiF,类硅烯三元环构型

 

氮杂环型不饱和硅烯(1,3,4)

氮杂环型饱和硅烯(2,5),杂环型硅烯,N-芳基杂环的硅烯,五元杂环硅烯,(HCNDipp)_2Si[OCH(Ph)C_6H_4](8)(HCNDipp)_2Si[NHN(Ph)C_6H_4](9)

 

聚硅烷|MoS-2|硅烯材料

类石墨烯硅烯材料,六角硅单层硅烯材料,呋喃基苯基硅烯材料

 

描述:硅烯材料涉及到粘合剂和胶粘产品、半导体材料、绝缘流体、化工产品、绝缘材料、导体材料、集成电路、微电子学、分析化学、建筑构件、泡沫材料、输电网和配电网、电线和电缆、建筑材料、医疗设备、与食品接触的物品与材料、有色金属、核能工程、有色金属产品、电子管、切削工具、焊接、钎焊和低温焊、耐火材料。

 

六角硅单层硅烯材料

硅烯、硼烯和CO分子晶体的MBE

Ag(111)ZrB2(0001)MoS2(0001)Ir(111)表面上合成了单层硅烯

 

新型硅烯和磷烯的复合纳米材料

硅烯和磷烯的新型纳米电子器件,硅烯超晶格材料,二维狄拉克电子材料硅烯,过渡金属和硅烯配体材料,环丙基硅烯C3H5SiH材料,硅烯量子点离激元激发材料

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酞菁|酞菁中取代基电子效应对双极性气体传感器有机异质结电导率的调节

电子器件中的有机异质结效应是提高电导率的重要策略,可用于提高电导率气体传感器的性能。


以八取代镍酞菁(NiPc)和自由基双酞菁(LuPc2)为材料制备有机异质结构的双层器件,并研究了它们对NH3气相的传感特性。合成了含有己基磺酰基、己基磺酰基和对羧基苯氧基的NiPc,并通过循环伏安法验证了其电子效应分别为给电子、接受电子和适度接受电子。


NiPc中取代基的电子效应调节了界面电导率和有机异质结的形成类型。


电子受体和给体有利于形成积累和积累/消耗异质结,这也分别与对NH3的负响应和正响应相关。在研究的异质结器件中,基于己基磺酰基的异质结器件在10 ~ 90ppm NH3和可变相对湿度(10 ~ 70%)条件下的响应最高且最稳定。


有趣的是,含有对羧基苯氧基取代NiPc的双分子层器件表现出双极性行为,在较高rh值时,其半导体性质由p型转变为n型,对NH3的负响应也由正响应转变为正响应。

酞菁|酞菁中取代基电子效应对双极性气体传感器有机异质结电导率的调节

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酞菁|酞菁中取代基电子效应对双极性气体传感器有机异质结电导率的调节

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料,纳米材料,聚合物;化学试剂供应商;专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料(聚集诱导发光材料)和发光探针(磷脂探针和酶探针)、碳量子点、金属纳米簇;嵌段共聚物等一系列产品。

酞菁|酞菁中取代基电子效应对双极性气体传感器有机异质结电导率的调节

电子器件中的有机异质结效应是提高电导率的重要策略,可用于提高电导率气体传感器的性能。


以八取代镍酞菁(NiPc)和自由基双酞菁(LuPc2)为材料制备有机异质结构的双层器件,并研究了它们对NH3气相的传感特性。合成了含有己基磺酰基、己基磺酰基和对羧基苯氧基的NiPc,并通过循环伏安法验证了其电子效应分别为给电子、接受电子和适度接受电子。


NiPc中取代基的电子效应调节了界面电导率和有机异质结的形成类型。


电子受体和给体有利于形成积累和积累/消耗异质结,这也分别与对NH3的负响应和正响应相关。在研究的异质结器件中,基于己基磺酰基的异质结器件在10 ~ 90ppm NH3和可变相对湿度(10 ~ 70%)条件下的响应最高且最稳定。


有趣的是,含有对羧基苯氧基取代NiPc的双分子层器件表现出双极性行为,在较高rh值时,其半导体性质由p型转变为n型,对NH3的负响应也由正响应转变为正响应。

酞菁|酞菁中取代基电子效应对双极性气体传感器有机异质结电导率的调节

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光电材料|等离子体垂直石墨烯边缘的太阳能驱动纳米离子实现光电电容去离子化

研究了光电材料g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质。

该异质结构呈现ii型能带排列,在Γ点有方向带隙(1.75 eV),有利于电子空穴对的有效分离,延长载流子的寿命。

此外,光电材料g-ZnO/α-CNH异质结界面处存在明显的电荷转移,打破了α-CNH的各向异性,进一步提高了可见光范围内的光学吸收。

光电材料zno /α-CNH异质结构具有合适的直接带隙、界面上明显的电荷转移和无毒元素,表明其异质结构在可再生能源和光电器件中具有潜在的环保应用前景。

我们的工作也从电荷分布的角度解决了异质结的各向异性或各向同性问题,并表明打破材料的各向异性可以改善材料的光电性能。

光电材料|等离子体垂直石墨烯边缘的太阳能驱动纳米离子实现光电电容去离子化

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光电材料|等离子体垂直石墨烯边缘的太阳能驱动纳米离子实现光电电容去离子化

研究了光电材料g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质。

该异质结构呈现ii型能带排列,在Γ点有方向带隙(1.75 eV),有利于电子空穴对的有效分离,延长载流子的寿命。

此外,光电材料g-ZnO/α-CNH异质结界面处存在明显的电荷转移,打破了α-CNH的各向异性,进一步提高了可见光范围内的光学吸收。

光电材料zno /α-CNH异质结构具有合适的直接带隙、界面上明显的电荷转移和无毒元素,表明其异质结构在可再生能源和光电器件中具有潜在的环保应用前景。

我们的工作也从电荷分布的角度解决了异质结的各向异性或各向同性问题,并表明打破材料的各向异性可以改善材料的光电性能。

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光电材料|g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质

构建了光电材料g-ZnO/α-CNH vhai der Waals (vdW)异质结构。

基于第一性原理计算,研究了光电材料g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质。

该异质结构呈现ii型能带排列,在Γ点有方向带隙(1.75 eV),有利于电子空穴对的有效分离,延长载流子的寿命。

此外,光电材料g-ZnO/α-CNH异质结界面处存在明显的电荷转移,打破了α-CNH的各向异性,进一步提高了可见光范围内的光学吸收。zno /α-CNH异质结构具有合适的直接带隙、界面上明显的电荷转移和无毒元素,表明其异质结构在可再生能源和光电器件中具有潜在的环保应用前景。

我们的工作也从电荷分布的角度解决了异质结的各向异性或各向同性问题,

并表明打破材料的各向异性可以改善材料的光电性能。该工作为光电器件的设计提供了有价值的参考。

光电材料|g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质

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光电材料|g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质

构建了光电材料g-ZnO/α-CNH vhai der Waals (vdW)异质结构。

基于第一性原理计算,研究了光电材料g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质。

该异质结构呈现ii型能带排列,在Γ点有方向带隙(1.75 eV),有利于电子空穴对的有效分离,延长载流子的寿命。

此外,光电材料g-ZnO/α-CNH异质结界面处存在明显的电荷转移,打破了α-CNH的各向异性,进一步提高了可见光范围内的光学吸收。zno /α-CNH异质结构具有合适的直接带隙、界面上明显的电荷转移和无毒元素,表明其异质结构在可再生能源和光电器件中具有潜在的环保应用前景。

我们的工作也从电荷分布的角度解决了异质结的各向异性或各向同性问题,

并表明打破材料的各向异性可以改善材料的光电性能。该工作为光电器件的设计提供了有价值的参考。

光电材料|g-ZnO/α-CNH异质结构的电子和光学性质

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酞菁|基于钯金纳米粒子和酞菁钴的异源结构氢化学传感器

钯、金和PdAu纳米粒子对酞菁钴薄膜对氢的传感器响应的影响。

为此,采用真空热蒸发和脉冲金属有机化学气相沉积(MOCVD)相结合的方法制备了基于酞菁钴和PdAu纳米合金的新型异质结构,并作为氢探测的活性层进行了研究。

采用x射线衍射、透射电镜和电子衍射等技术研究了制备的异质结构的结构特征和相组成。

采用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定样品中金属纳米粒子的浓度。

将CoPc/M (M = Pd, Au, Pd0.2Au0.8和Pd0.8Au0.2)对氢气(100 – 400ppm,室温)的传感响应与裸露的CoPc薄膜进行了比较。

结果表明,所研究的异质结构对氢(300 ppm)的传感器响应提高了CoPc (0.2%)<CoPc/Pd0.2Au0.8 (1.9%) ~ CoPc/Au (2.2%) <康菲石油/ Pd (2.7%) & lt;康菲石油/ Pd0.8Au0.2(5.6%)。

酞菁|基于钯金纳米粒子和酞菁钴的异源结构氢化学传感器

更多推存:

cas:150485-60-2|5,9,14,18,23,27,32,36-八丁氧基-2,3-萘酞菁钯 (II)

cas:757940-49-1|1,4,8,11,15,18,22,25-八丁氧基-29H,31H-酞菁磷(IV)

四叔丁基酞菁硅水合物|CAS号: 85214-70-6

二氧化硅包覆菁染料壳核型纳米颗粒

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料,纳米材料,聚合物;化学试剂供应商;专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料(聚集诱导发光材料)和发光探针(磷脂探针和酶探针)、碳量子点、金属纳米簇;嵌段共聚物等一系列产品。

酞菁|基于钯金纳米粒子和酞菁钴的异源结构氢化学传感器

钯、金和PdAu纳米粒子对酞菁钴薄膜对氢的传感器响应的影响。

为此,采用真空热蒸发和脉冲金属有机化学气相沉积(MOCVD)相结合的方法制备了基于酞菁钴和PdAu纳米合金的新型异质结构,并作为氢探测的活性层进行了研究。

采用x射线衍射、透射电镜和电子衍射等技术研究了制备的异质结构的结构特征和相组成。

采用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定样品中金属纳米粒子的浓度。

将CoPc/M (M = Pd, Au, Pd0.2Au0.8和Pd0.8Au0.2)对氢气(100 – 400ppm,室温)的传感响应与裸露的CoPc薄膜进行了比较。

结果表明,所研究的异质结构对氢(300 ppm)的传感器响应提高了CoPc (0.2%)<CoPc/Pd0.2Au0.8 (1.9%) ~ CoPc/Au (2.2%) <康菲石油/ Pd (2.7%) & lt;康菲石油/ Pd0.8Au0.2(5.6%)。

酞菁|基于钯金纳米粒子和酞菁钴的异源结构氢化学传感器

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cas:150485-60-2|5,9,14,18,23,27,32,36-八丁氧基-2,3-萘酞菁钯 (II)

cas:757940-49-1|1,4,8,11,15,18,22,25-八丁氧基-29H,31H-酞菁磷(IV)

四叔丁基酞菁硅水合物|CAS号: 85214-70-6

二氧化硅包覆菁染料壳核型纳米颗粒

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料,纳米材料,聚合物;化学试剂供应商;专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料(聚集诱导发光材料)和发光探针(磷脂探针和酶探针)、碳量子点、金属纳米簇;嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/02/07


光电材料|UDP 糖| 卟啉 |柔性聚四氟乙烯衬底上石墨烯-硅纳米线异质结的制备及光电性能

然后使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为双层支撑膜,将Gr/SiNWs异质结转移到柔性聚四氟乙烯(PTFE)衬底上。

成功地完成了柔性Gr/SiNWs异质结的转移过程。

然而,自旋涂层过程引起的机械应力和PMMA/PDMS层的体积收缩对sinw的晶体结构有影响。

制备的Gr/SiNWs异质结光电二极管具有整流特性。

在0.1 W/cm2的可见-近红外(VIS-NIR)光照下,观察到光电二极管具有明显的光电效应。

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meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7

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光电材料|UDP 糖| 卟啉 |柔性聚四氟乙烯衬底上石墨烯-硅纳米线异质结的制备及光电性能

然后使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为双层支撑膜,将Gr/SiNWs异质结转移到柔性聚四氟乙烯(PTFE)衬底上。

成功地完成了柔性Gr/SiNWs异质结的转移过程。

然而,自旋涂层过程引起的机械应力和PMMA/PDMS层的体积收缩对sinw的晶体结构有影响。

制备的Gr/SiNWs异质结光电二极管具有整流特性。

在0.1 W/cm2的可见-近红外(VIS-NIR)光照下,观察到光电二极管具有明显的光电效应。

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meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料,纳米材料,聚合物;化学试剂供应商;专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料(聚集诱导发光材料)和发光探针(磷脂探针和酶探针)、碳量子点、金属纳米簇;嵌段共聚物等一系列产品。sjl2022/01/25

酞菁 |光电材料|UDP 糖|基于钯金纳米粒子和酞菁钴的异源结构氢化学传感器

为此,采用真空热蒸发和脉冲金属有机化学气相沉积(MOCVD)相结合的方法制备了基于酞菁钴和PdAu纳米合金的新型异质结构,并作为氢探测的活性层进行了研究。采用x射线衍射、透射电镜和电子衍射等技术研究了制备的异质结构的结构特征和相组成。采用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定样品中金属纳米粒子的浓度。将CoPc/M (M = Pd, Au, Pd0.2Au0.8和Pd0.8Au0.2)对氢气(100 – 400ppm,室温)的传感响应与裸露的CoPc薄膜进行了比较。结果表明,所研究的异质结构对氢(300 ppm)的传感器响应提高了CoPc (0.2%) <CoPc/Pd0.2Au0.8 (1.9%) ~ CoPc/Au (2.2%) <康菲石油/ Pd (2.7%) & lt;康菲石油/ Pd0.8Au0.2(5.6%)。

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cas:150485-60-2|5,9,14,18,23,27,32,36-八丁氧基-2,3-萘酞菁钯 (II)

cas:757940-49-1|1,4,8,11,15,18,22,25-八丁氧基-29H,31H-酞菁磷(IV)

四叔丁基酞菁硅水合物|CAS号: 85214-70-6

二氧化硅包覆菁染料壳核型纳米颗粒

上海金畔生物科技有限公司是国内光电材料,纳米材料,聚合物;化学试剂供应商;专业于科研试剂的研发生产销售。供应有机发光材料(聚集诱导发光材料)和发光探针(磷脂探针和酶探针)、碳量子点、金属纳米簇;嵌段共聚物等一系列产品。

酞菁 |光电材料|UDP 糖|基于钯金纳米粒子和酞菁钴的异源结构氢化学传感器

为此,采用真空热蒸发和脉冲金属有机化学气相沉积(MOCVD)相结合的方法制备了基于酞菁钴和PdAu纳米合金的新型异质结构,并作为氢探测的活性层进行了研究。采用x射线衍射、透射电镜和电子衍射等技术研究了制备的异质结构的结构特征和相组成。采用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定样品中金属纳米粒子的浓度。将CoPc/M (M = Pd, Au, Pd0.2Au0.8和Pd0.8Au0.2)对氢气(100 – 400ppm,室温)的传感响应与裸露的CoPc薄膜进行了比较。结果表明,所研究的异质结构对氢(300 ppm)的传感器响应提高了CoPc (0.2%) <CoPc/Pd0.2Au0.8 (1.9%) ~ CoPc/Au (2.2%) <康菲石油/ Pd (2.7%) & lt;康菲石油/ Pd0.8Au0.2(5.6%)。

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cas:150485-60-2|5,9,14,18,23,27,32,36-八丁氧基-2,3-萘酞菁钯 (II)

cas:757940-49-1|1,4,8,11,15,18,22,25-八丁氧基-29H,31H-酞菁磷(IV)

四叔丁基酞菁硅水合物|CAS号: 85214-70-6

二氧化硅包覆菁染料壳核型纳米颗粒

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光电材料|一种增强光电性能的二维MoS2/WSe2范德华异质结构

二维范德华异质结构的制备是提高二维材料光电性能的有效策略,为光电化学器件中光电阳极材料的设计提供了新的可能性。

采用液相剥离法和真空过滤法制备了过渡金属二卤代化物MoS2/WSe2异质结光电电极。

线性扫描伏安法、瞬态光电流和开路电位测量表明,异质结光电电极具有增强的光电流强度和改善的光响应活性。

此外,Nyquist阻抗图、Bode相位图和Mott-Schottky测量结果表明,异质结样品比MoS2和WSe2具有更高的电荷转移速率和更长的电荷寿命。

为了揭示机理,利用x射线光电子能谱和第一性原理计算建立了MoS2/WSe2异质结样品的能带排列。

因此,异质结光电阳极PEC性能的改善归因于MoS2和WSe2纳米片之间的内置电场,促进了光电产生的e-h对分离,抑制了它们的复合。

本工作验证了MoS2/WSe2异质结光电电极的PEC机理,对基于TMD异质结构的PEC器件的设计具有重要意义。

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meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7

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光电材料|一种增强光电性能的二维MoS2/WSe2范德华异质结构

二维范德华异质结构的制备是提高二维材料光电性能的有效策略,为光电化学器件中光电阳极材料的设计提供了新的可能性。

采用液相剥离法和真空过滤法制备了过渡金属二卤代化物MoS2/WSe2异质结光电电极。

线性扫描伏安法、瞬态光电流和开路电位测量表明,异质结光电电极具有增强的光电流强度和改善的光响应活性。

此外,Nyquist阻抗图、Bode相位图和Mott-Schottky测量结果表明,异质结样品比MoS2和WSe2具有更高的电荷转移速率和更长的电荷寿命。

为了揭示机理,利用x射线光电子能谱和第一性原理计算建立了MoS2/WSe2异质结样品的能带排列。

因此,异质结光电阳极PEC性能的改善归因于MoS2和WSe2纳米片之间的内置电场,促进了光电产生的e-h对分离,抑制了它们的复合。

本工作验证了MoS2/WSe2异质结光电电极的PEC机理,对基于TMD异质结构的PEC器件的设计具有重要意义。

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meso-四(对烷氧基苯基)卟啉钼配合物

硫化铅固载四(对-羧基苯基)铁卟啉催化材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉钴|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯,CAS号:5522-66-7

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