不同基底负载三氧化二铁纳米杆阵列


产品颜色

偏暗红色

实物尺度

不超过3cm*4cm

三氧化二铁纳米杆直径

100-150 nm

负载量

0.5-2毫克/cm2

纯度

99%

基底信息

FTO玻璃和碳布基底。碳布基底厚度0.1-0.2毫米;FTO玻璃厚度1-3毫米

薄膜厚度

500纳米-1微米

应用领域

电化学储能(锂电、钠电、钾电、锌电、锌空、锂空、水系电池、锂硫电池、金属电池等)、电催化(析氢、析氯、析氧、氧气还原、氮气还原、二氧化碳还原等)、超级电容器、电分析化学载体、电化学传感(乙醇和葡萄糖浓度检测、甲醇检测等)、甲醛分解催化、柔性电极和柔性电子、金属离子分离过滤、光催化分解降解、环保降解催化VOC、重金属离子吸附、流体力学测试等

实物图:

不同基底负载三氧化二铁纳米杆阵列

不同基底负载介孔四氧化三钴纳米线阵列(Co3O4) 尺寸可定制

不同基底负载介孔四氧化三钴纳米线阵列(Co3O4) 尺寸可定制

不同基底负载介孔四氧化三钴纳米线阵列

电镜照片仅供参考,请以实物为准(未经允许不得盗用本司电镜照片,违者必究)

不同基底负载介孔四氧化三钴纳米线阵列(Co3O4) 尺寸可定制

产品颜色

黑色

实物尺度

不超过3.5cm*4.5cm

介孔四氧化三钴纳米线直径

80-100 nm

阵列厚度

3-5微米

负载量

1-3毫克/cm2

纯度

999%

基底信息

碳布、FTO玻璃、泡沫镍、不锈钢、镍片、泡沫石墨烯、钛片等。基底厚度0.1-1毫米。

储存条件

常温干燥

应用领域

电化学储能(锂电、钠电、钾电、锌电、锌空、锂空、水系电池、锂硫电池、金属电池等)、电催化(析氢、析氯、析氧、氧气还原、氮气还原、二氧化碳还原等)、超级电容器、电分析化学载体、电化学传感(乙醇和葡萄糖浓度检测、甲醇检测等)、甲醛分解催化、柔性电极和柔性电子、金属离子分离过滤、光催化分解降解、环保降解催化VOC、重金属离子吸附、流体力学测试等

危害性

无害无毒,但不可食用

上海金畔生物可以提供各种不同长度的纳米金线,纳米钯线,纳米铑线,纳米钌线,纳米锇线,纳米铱线,纳米铂线,纳米银线,CdS纳米线,CdSe纳米线,InAS纳米线,ZnSe纳米线等,并且我们可以提供官能团修饰、蛋白修饰、酶修饰、DNA修饰、壳聚糖、多肽、叶酸等修饰偶连各种纳米线的定制合成技术。

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三维多孔交联氧化锌薄膜(白色)

三维多孔交联氧化锌薄膜(白色)

实物尺度2cm*2cm ;基底材料;FTO玻璃,基底厚度1-3毫米

产品介绍

产品颜色

偏白色

实物尺度

2cm*2cm

基底材料

FTO玻璃,基底厚度1-3毫米

孔径

300纳米到1微米

厚度

2-5微米

负载量

0.5-2毫克/cm2

纯度

99.9%

制备方法

聚合物微球模板法

储存条件

常温干燥

产品性能

结构高度周期有序

三维多孔交联氧化锌薄膜(白色)
参数信息
外观状态: 固体或粉末
质量指标: 95%+
溶解条件: 有机溶剂/水
CAS号: N/A
分子量: N/A
储存条件: -20℃避光保存
储存时间: 1年
运输条件: 室温2周
生产厂家: 上海金畔生物科技有限公司

外延生长Fe薄膜的过程,生长过程中及生产完成后RHEED图样

外延生长Fe薄膜的过程如下:

(1)准备单晶基底

要实现外延,需要保证单晶基底表面的绝对清洁,以产生用于束缚沉积原子的表面晶体场。对于不同的基底具有不同的处理工艺。对于单晶硅基底,首先依次使用氯仿、丙酮、甲醇进行超声清洗;其次用5%的HF对表面进行腐蚀2分钟,以除去表面氧化层;之后用去离子水冲洗基底,用高纯氮气吹干后马上将基底安装至真空腔内的样品架上:最后,在高真空中加热至700 °C进行除气。对于单晶GaAs基底,首先依次使用氯仿、丙酮、甲醇、去离子水进行超声清洗;之后用高纯氮气吹干后马上将基底安装至真空腔内的样品架上;在高真空中将基底快速加热至600°C左右,使得GaAs刚刚到达分解温度,同时观察RHEED,当出现细线衍射图样时立即停止加热,逐渐冷却至室温,使GaAs表面经过重构变得平整。

(2)生长条件的选择

在完成基底准备后,对生长腔持续抽真空8至12小时。在生长腔的真空度稳定在10-1° mbar量级后,经过两个小时的时间,将Fe源升温至1250 °C。Fe源的温度决定了蒸发分子束的流量(生长速率),以及原子与基底接触时的动能(与基底温度相配合决定是否能够适当沉积),经过查阅文献和反复试验,确定了Fe源温度为1250°c,基底温度为30 °C。

(3)薄膜生长过程

在升温完成后,打开Fe的挡板,开始薄膜生长。在生长过程中,实时监测RHEED的图样并记录,保证生长过程中及生产完成后RHEED图样始终保持条形,从而确定生长模式为layer by layer的生长(如果是核生长模式或层核生长模式,则在生长过程中应当出现点状图样与条形图样的转化或交替转化)。

如图所示,当基底为(100)面的单晶GaAs时(晶格常数0.565 nm),计算出生长完成后的Fe薄膜的晶格常数为0.28 nm,符合α相的固态Fe的bcc晶胞晶格常数。

外延生长Fe薄膜的过程,生长过程中及生产完成后RHEED图样外延生长Fe薄膜的过程,生长过程中及生产完成后RHEED图样

对于Fe薄膜的微观型貌特征,以在Si (111)表面生长的样品为例,表面如图下 (a)和(b)所示,样品厚度均匀,界面清晰,晶体结构完整。如图上(c)

所示,通过AFM(原子力显微镜)的分析软件可以确定样品表面的均方根粗糙度为0.9 nm,由此可知样品表面相当平整。需要说明的是,对于微观型貌来说,不同基底生长的样品均可以达到图中下的标准。

供应产品目录:

磷化镓GaP薄膜

柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜

硫化锌(ZnS)缓冲层薄膜

镓硫碲GaSTe薄膜

基于锗镓碲硫卤玻璃薄膜

ZnS1-x Tex薄膜

碲基硫属化合物薄膜

二硫化铪HfS2薄膜

二硒化铪HfSe2纳米薄膜

二氧化铪图案化薄膜

具有V型能带结构的锑硫硒薄膜

二氧化铪(HfO2)纳米晶态薄膜

花菁染料薄膜

碲化镉(CdTe)多晶薄膜

纳米厚度的铌基超导超薄薄膜

掺杂铌和钴元素的锆钛酸铅(PZT)薄膜

碲化铷薄膜

二碲化镍NiTe2薄膜

连续半导体薄膜

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大面积的二维PtSe2薄膜

TiO2/Pt/TiO2, TiO2/TiO2/Pt和Pt/TiO2/TiO2薄膜

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yyp2021.3.25