碲化铟晶体indium =elluride crys<<<l In2Te3周期表第 m. Gr族元素化合物半导体。共价键结合，有离子键成分。闪锌矿型结构。密度5.7撇/cm3熔点6fi7};。禁带宽度 1 . C1eV，一般为n型材料。电子和空穴迁移率分别为3. 1U 2和5x 10一'm"}( V's)}热一导率1.4W/(rn-It)}采{ 里奇曼法制备。用于制作红外探测器。

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上海金畔生物科技有限公司可以提供各种二维晶体材料以及晶体基片，如HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体等等;  我们提供的产品仅仅用于科研,不能用于临床,也提供二维晶体粉末材料.  

产地 ：上海

纯度：99%