采用低温水热法在蓝宝石/p-GaN薄膜模板上生长了ZnO、ga掺杂ZnO (GZO)、in掺杂ZnO (IZO)和Ga-In共掺杂ZnO (GIZO)纳米线阵列，制备了自供电的p-GaN/n-ZnO异质结紫外探测器。

作者调查了Ga的影响或单掺杂和Ga-In提出微观结构特性和光学特性的热液地合成氧化锌纳米线和光敏特性进行了比较研究和光电的响应性能的四种pn异质结紫外探测器。

x射线衍射(XRD)测试表明，合成的zno基纳米线阵列具有单相六方纤锌矿结构，并沿(002)面有择优取向。扫描电子显微镜(SEM)观察表明，掺杂剂的种类对纳米线的形貌和平均直径有一定的影响。zno基纳米线的平均直径为61 ~ 101 nm。室温光致发光(PL)光谱表明，合成的zno纳米线具有较高的结晶质量。

基于p-GaN薄膜/n-ZnO纳米线阵列的异质结光电探测器的电流-电压(I-V)曲线在黑暗和紫外光照下均具有整流特性。在紫外照射下，GIZO器件在5 V偏压下具有最佳的光敏特性。

在5 V偏压下，光暗电流比接近6.0，开关电压低于1.8 V。与单掺杂和未掺杂ZnO器件相比，p-GaN/n-GIZO异质结紫外探测器在零偏置电压下实现了优异的光响应性能。

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