随着全球化石能源的短缺和环境恶化危机的加剧，氢能作为一种清洁能源已成为一种对环境无害的替代能源。

在大多数光催化制氢的研究中，新型光催化材料对提高制氢速率起着重要作用。在本研究中，通过煅烧温度190℃、添加PEG表面活性剂1 wt%的一系列表征，确定了合成二硫化钼的最佳条件。合成MOF的最佳条件为铜前驱体为硝酸铜，超声振幅为30%，煅烧温度为240℃。

在MOS2中加入1 wt%的MOF后，形成了粒径小、分布均匀、规则、表面孔隙大的花状结构，其单元被修饰成许多粗糙、多孔、高比表面积的八面体结构。

此外，1MOF/MOS2具有最大的负导带边(−0.135 V)、最小的电荷转移电阻(Rct = 1.78 Ω)、最大的光电流(11.1 mA/cm2)、最低的发光光谱峰强度以及优异的光催化稳定性。

上述形态特征和光学性质可以显著形成更多的活性位点，提高电子转移速率，抑制电子空穴的复合，从而使MOF/MOS2复合光催化剂的产氢能力达到最大(626.3 μmol g−1 h−1)。

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