由Si扩散到ZnO薄膜引起的。

基于实验结果构建了不同的Si支撑ZnO模型，研究了其光电特性，

数值研究表明，ZnO:Si、ZnO:Si-int和ZnO- vo的费米能级均移动到导带最小值，这说明它们有利于n型半导体的发展。

ZnO-Si-int的介电函数向较低的能量方向移动(红移)，其电导率在3eV ~ 7eV范围内较高，

在300 nm以上的波长范围内吸收和反射率都较高;

而ZnO:Si的光学性能较差，说明Si在ZnO薄膜中的扩散导致了Si/ZnO异质结光电性能的退化。

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