首先对纯SnO2和(C, S)共掺杂SnO2的几何特性和电子结构进行理论计算，然后进行实验测量。通过x射线粉末衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和x射线光电子能谱(XPS)对(C, S)共掺杂的SnO2进行了表征。并对制备的纯SnO2电极和(C, S)共掺杂SnO2电极的光电性能进行了研究。理论计算结果表明，碳原子和硫原子之间通过晶格畸变产生强烈的相互作用。在价带顶部引入完全填充的能级，有效地降低了带隙值，抑制了带电缺陷。从而提高了SnO2的光电性能。此外，实验结果表明，所有样品均为金红石相，掺杂碳和硫通过取代氧进入SnO2晶体。5%共掺杂样品具有最均匀的球形和分散性，光电流值最大(6.8 μA/cm2)，电化学阻抗最小。理论计算和实验结果表明，(C, S)共掺杂SnO2具有优异的光电性能。双孔辅助耦合的掺杂方法有助于高活性氧化锡基光电材料的设计，也为其他同类材料的修饰铺平了道路。

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