陶瓷靶材是比较脆的靶材，通常陶瓷靶材都会绑定背板一起使用.背板除了在溅射过程中可支撑陶瓷靶材，还可以在溅射过程中起到热传递的作用.陶瓷靶材的种类很多，应用范围广泛，主要用于微电子领域，显示器用，存储等领域.陶瓷靶材作为非金属薄膜产业发展的基础材料，已得到空前的发展
陶瓷靶材的种类及各自应用
按应用来分,可分为半导体关联陶瓷靶材、显示陶瓷靶材、磁记录陶瓷靶材、光记录陶瓷靶材、超导陶瓷靶材、巨磁电阻陶瓷靶材等.
半导体关联陶瓷靶材(HfO,SiO,Si3N4,MoSi,TaSi,WSi,TiSi,PLZT,ITO,主要应用于栅极电介质膜.饨化膜,扩散阻挡膜,电容器绝缘膜,透明导电膜;
显示陶瓷靶材 ZnS—Mn,ZnS-Tb,ZnS-Sm,CaS-Eu,SrS-Ce,Si3N4,MgO ，主要应用于电致发光薄膜发光层，电致发光薄膜绝缘层
磁记录陶瓷靶材 Si3N4 ，主要应用于磁头，磁光盘(MO)保护；
光记录陶瓷耙材 Si3N4, 主要应用于光盘保护膜；
超导陶瓷靶材 YbaCuO, BiSrCaCuO ，主要应用于超导薄膜；
巨磁电阻陶瓷靶材， 主要应用于薄膜太阳能电池窗；
其它应用靶材 InO，LiNbO， BaTiO, PZT. ZnO ，主要应用于太阳能电池，压电薄膜
按化学组成，可分为氧化物陶瓷靶材、硅化物陶瓷靶材、氮化物陶瓷靶材、氟化物陶瓷靶材和硫化物陶瓷靶材等.其中平面显示ITO陶瓷靶材国内已广泛生产应用.高介电绝缘膜用陶瓷靶材和巨磁电阻陶瓷靶材具有广阔的应用前景.
陶瓷靶材的制备工艺
烘料:称量前将起始原料置于烘箱中烘料3~6小时,烘料温度为100~120
配料：将烘干的原料按照相应的化学计量比称量；
球磨：将称量好的原料以某种制备方式混料，混料时间为4~12小时，制成均匀浆料；
干燥：将制得的均匀浆料烘干；
煅烧：将烘干的粉料过筛并轻压成块状坯体置于马弗炉中，在800~950℃煅烧4~8小时，制成
球磨：将煅烧后的粉料研磨成细粉，再次球磨、烘干得到陶瓷粉料；
制坯：将制成的陶瓷粉料采用钢模手压成直径5~20mm、厚度约0.5~1.2mm的样片，将样片放入冷等静压机中，施加200~350MPa的压力，保压60~180s,制成所得陶瓷坯体；
烧结：将制成的陶瓷坯体置于马弗炉中，在1100~1200℃烧结4
冷却：自然冷却至室温，即制得某种陶瓷靶材.
注:提供的温度、时间仅当作参考数据.
陶瓷靶材的特性要求
纯度：陶瓷靶材的纯度对溅射薄膜的性能影响很大，纯度越高，溅射薄膜的均匀性和批量产品的质量的一致性越好.
密度:为了减少陶瓷靶材的气孔,提高薄膜性能,要求溅射陶瓷靶材具有高密度.
成分与结构均匀性：为保证溅射薄膜均匀，尤其在复杂的大面积镀膜应用中，必须做到靶材成分与结构均匀性好.
相关产品
Sb2S3纳米棒
Sb2S3纳米量子点
Sb2 S3/ZnO纳米棒
哑铃状Sb2S3晶体
四棱柱状Sb2S3纳米棒
生长的Sb2S3修饰的TiO2纳米带复合物
二元硫化物(Sb2S3、Ag2S、Cu S、Cu2S、Cd S、Bi2S3)作为敏化剂修饰的Zn O纳米阵列
不同形貌的Sb2S3晶体（棒状,管状,蝴蝶结状,花状,稻草捆状）
ZnO/ZnS/Sb2S3纳米阵列
Sb2S3修饰枝状TiO2阵列
上海金畔生物科技有限公司可以提供各种二维晶体材料以及晶体基片，如HfTe2 碲化铪晶体、HfSe2 硒化铪晶体、HfS2 硫化铪晶体、GeSe 硒化锗晶体、GaTe晶体、GaSe 硒化镓晶体、Fe3GeTe2晶体、CuS 晶体、CdI2晶体>10平方毫米、BiTe晶体、BiSe 晶体、硫化铋 Bi2S3 晶体、Bi2O2Te 晶体、AgCrSe2晶体、hBN 六方氮化硼晶体等等; 我们提供的产品仅仅用于科研,不能用于临床,也提供二维晶体粉末材料.
产地 ：上海
纯度：99%