蒸发、溅射和分子束外延等方法制备薄膜的过程多是成核、生长的过程。当衬底表面只吸附少量生长物原子时，这些原子是不稳定的,很容易挣脱衬底原子的吸引，离开衬底表面。只有沉积在基片上的原子在表面扩散过程中相遇并结合成原子团，然后这些原子团不断吸收新的原子加入而逐渐长人形成品核。由统计物理可以计算出临界晶核有时只需儿个原子即可组成。这些临界品核再吸收一个原子就可以稳定下来并不断长大。利用透射电镜已观察到尺寸小到1nm 的稳定品核。

稳定品核数目不断增多后,晶粒之间的原子只需扩散一个短距离就可合并到晶核上去而不易形成新的品核，此时稳定晶核（有些已长大）数达到极大伯。继续沉积使晶核不断长大成小岛，小岛相遇后发生合并，形成大岛;当沉积到一定的时间后，小岛已经人体相连只留下小量沟状的空白区。继续沉积的结果是原子会填补空白区使薄膜连成一片,形成完整的膜。在清洁的晶体衬底上薄膜生长的机制可分为三种:三维生长、二维生长和单层二维生长后三维生长，它们的示意图见图1。生长的模式依赖于许多因素，如衬底与生长原子相互作用,晶格匹配，温度、生长速度等工艺条件，等等。

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二硫化銅銦薄膜

二硫化钨固体润滑薄膜

二硫化铼(ReS2)薄膜

二维二硫化钨薄膜

二碲化钛(TiTe2)过渡金属二硫化物薄膜

二维碲化铂纳米薄膜

二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜

CIGSeS/CIGSe复合薄膜

大尺寸单层硒分区掺杂二硫化钨薄膜

铜铟镓硒/硫/硒硫薄膜

具有光引出层的柔性气密性薄膜

锆钛酸铅(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,简写为PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

強介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜

强诱电体/高取向度PZT铁电薄膜

Bi2-xSbxTe3基热电薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3–CoFe2O4纳米复合薄膜

多铁性磁电复合薄膜

聚酰亚胺/纳米Al2O3复合薄膜

金刚石薄膜

直流磁控溅射ZnO薄膜

WO3-TiO2薄膜

超疏水多孔阵列碳纳米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

掺锡TiO2复合薄膜

TiO2-SiO2超亲水性薄膜

金属离子掺杂的TiO2薄膜

纳米碳纤维膜/钴酸锂三维同轴复合膜

含氢类金刚石薄膜

纳米结晶金刚石碳膜

三明治结构透明导电薄膜

三维纳米多孔石墨烯(3D-npG)薄膜

高性能的碳纳米纤维柔性薄膜

石墨烯基透明导电薄膜

球壳状连续异质结构的3D纳米多孔石墨烯(hnp-G)薄膜

聚丙烯腈纳米纤维薄膜

石墨烯/多孔碳膜

三维多孔碳膜

二维氮化硼纳米薄膜

高性能钠离子薄膜

多孔石墨烯/碳纳米管复合薄膜(PGNs-CNT)

石墨烯/二氧化锰复合薄膜

各向异性导电高分子复合薄膜

碳氮化物薄膜

微纳结构薄膜

三维阶层多孔金膜

大内径碳纳米管阵列薄膜

金纳米颗粒-碳复合材料催化剂薄膜

yyp2021.3.31