外延生长Fe薄膜的过程如下:
(1）准备单晶基底
要实现外延，需要保证单晶基底表面的绝对清洁，以产生用于束缚沉积原子的表面晶体场。对于不同的基底具有不同的处理工艺。对于单晶硅基底，首先依次使用氯仿、丙酮、甲醇进行超声清洗;其次用5%的HF对表面进行腐蚀2分钟，以除去表面氧化层;之后用去离子水冲洗基底，用高纯氮气吹干后马上将基底安装至真空腔内的样品架上:最后，在高真空中加热至700 °C进行除气。对于单晶GaAs基底，首先依次使用氯仿、丙酮、甲醇、去离子水进行超声清洗;之后用高纯氮气吹干后马上将基底安装至真空腔内的样品架上;在高真空中将基底快速加热至600°C左右，使得GaAs刚刚到达分解温度，同时观察RHEED，当出现细线衍射图样时立即停止加热，逐渐冷却至室温，使GaAs表面经过重构变得平整。
(2）生长条件的选择
在完成基底准备后，对生长腔持续抽真空8至12小时。在生长腔的真空度稳定在10-1° mbar量级后，经过两个小时的时间，将Fe源升温至1250 °C。Fe源的温度决定了蒸发分子束的流量（生长速率)，以及原子与基底接触时的动能（与基底温度相配合决定是否能够适当沉积)，经过查阅文献和反复试验，确定了Fe源温度为1250°c，基底温度为30 °C。
(3）薄膜生长过程
在升温完成后，打开Fe的挡板，开始薄膜生长。在生长过程中，实时监测RHEED的图样并记录，保证生长过程中及生产完成后RHEED图样始终保持条形，从而确定生长模式为layer by layer的生长（如果是核生长模式或层核生长模式，则在生长过程中应当出现点状图样与条形图样的转化或交替转化)。
如图所示，当基底为（100）面的单晶GaAs时（晶格常数0.565 nm)，计算出生长完成后的Fe薄膜的晶格常数为0.28 nm，符合α相的固态Fe的bcc晶胞晶格常数。
对于Fe薄膜的微观型貌特征，以在Si (111）表面生长的样品为例，表面如图下 (a)和(b)所示，样品厚度均匀，界面清晰，晶体结构完整。如图上(c)
所示，通过AFM（原子力显微镜）的分析软件可以确定样品表面的均方根粗糙度为0.9 nm，由此可知样品表面相当平整。需要说明的是，对于微观型貌来说，不同基底生长的样品均可以达到图中下的标准。
供应产品目录：
磷化镓GaP薄膜
柔性铜铟镓硒(CIGS)薄膜
硫化锌(ZnS)缓冲层薄膜
镓硫碲GaSTe薄膜
基于锗镓碲硫卤玻璃薄膜
ZnS1-x Tex薄膜
碲基硫属化合物薄膜
二硫化铪HfS2薄膜
二硒化铪HfSe2纳米薄膜
二氧化铪图案化薄膜
具有V型能带结构的锑硫硒薄膜
二氧化铪(HfO2)纳米晶态薄膜
花菁染料薄膜
碲化镉(CdTe)多晶薄膜
纳米厚度的铌基超导超薄薄膜
掺杂铌和钴元素的锆钛酸铅(PZT)薄膜
碲化铷薄膜
二碲化镍NiTe2薄膜
连续半导体薄膜
二硒化铂PtSe2薄膜
大面积的二维PtSe2薄膜
TiO2/Pt/TiO2, TiO2/TiO2/Pt和Pt/TiO2/TiO2薄膜
高迁移率层状硒氧化铋Bi2O2Se半导体薄膜
碲氧溅射薄膜
碲纳米线柔性薄膜
三硫化二锡Sn2S3薄膜
铜锌锡硫和硫化亚锡（CZTS和SnS）薄膜
銅錫鋅硒硫Cu2ZnSn(SSe)4薄膜
硫硒化镉和硫硒化锌修饰的二氧化钛薄膜
纳米二氧化钒(VO2)薄膜
半导体硫(硒)化锌-锰薄膜
无扩散阻挡层Cu-Ni-Sn三元薄膜
三元鎳磷鋁合金薄膜
钨掺杂的硫硒化镍薄膜
固溶体半导体碲硫锌多晶薄膜ZnS1-x Tex
Zn(S,O)多晶薄膜
锌基底表面超疏水薄膜
Zr-Al复合薄膜
大面积二硫化锆薄膜
BaZrS3薄膜
碲化锰MnTe薄膜
碲化镍NiTe薄膜
Cr掺杂ZnS的中间带薄膜
铜钴锡硫(硒)(CCTS(Se))薄膜
氧化石墨烯/硝酸银复合薄膜
氧化石墨烯/PDDA薄膜
硫化砷AS2S3薄膜
硫化砷非晶态半导体薄膜
硫化砷玻璃薄膜
低温生长富砷的镓砷锑薄膜
As掺杂碲镉汞薄膜
锗砷硒半导体薄膜
三硒化二铋Bi2Se3薄膜
Sb2Te3薄膜
三碲化二铋Bi2Te3薄膜
晶界调控n型碲化铋薄膜
碲化铋取向纳米柱状薄膜
碲化铋纳米薄膜
碲化铋(Bi2Te3)化合物热电薄膜
碲化镉硅基薄膜
锰铋稀土(MnBiRE)磁光薄膜
二硫化銅銦薄膜
二硫化钨固体润滑薄膜
二硫化铼(ReS2)薄膜
二维二硫化钨薄膜
二碲化钛(TiTe2)过渡金属二硫化物薄膜
二维碲化铂纳米薄膜
二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜
CIGSeS/CIGSe复合薄膜
大尺寸单层硒分区掺杂二硫化钨薄膜
铜铟镓硒/硫/硒硫薄膜
具有光引出层的柔性气密性薄膜
锆钛酸铅(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,简写为PZT)薄膜
鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜
強介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜
强诱电体/高取向度PZT铁电薄膜
Bi2-xSbxTe3基热电薄膜
MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜
Pb(Zr,Ti)O3–CoFe2O4纳米复合薄膜
多铁性磁电复合薄膜
聚酰亚胺/纳米Al2O3复合薄膜
金刚石薄膜
直流磁控溅射ZnO薄膜
WO3-TiO2薄膜
超疏水多孔阵列碳纳米管薄膜
仿生超疏水性薄膜
掺锡TiO2复合薄膜
TiO2-SiO2超亲水性薄膜
金属离子掺杂的TiO2薄膜
纳米碳纤维膜/钴酸锂三维同轴复合膜
含氢类金刚石薄膜
纳米结晶金刚石碳膜
三明治结构透明导电薄膜
三维纳米多孔石墨烯(3D-npG)薄膜
高性能的碳纳米纤维柔性薄膜
石墨烯基透明导电薄膜
球壳状连续异质结构的3D纳米多孔石墨烯(hnp-G)薄膜
聚丙烯腈纳米纤维薄膜
石墨烯/多孔碳膜
三维多孔碳膜
二维氮化硼纳米薄膜
高性能钠离子薄膜
多孔石墨烯/碳纳米管复合薄膜(PGNs-CNT)
石墨烯/二氧化锰复合薄膜
各向异性导电高分子复合薄膜
碳氮化物薄膜
微纳结构薄膜
三维阶层多孔金膜
大内径碳纳米管阵列薄膜
金纳米颗粒-碳复合材料催化剂薄膜
纳米反应器阵列薄膜
铁氧体/石墨烯基纳米复合薄膜
三维网络结构铁氧体/碳材料纳米复合薄膜
具有大孔-中孔多级孔结构的自支撑碳纳米管薄膜
非晶碳基纳米多层薄膜
离子液体/织构化类金刚石碳复合润滑薄膜
碳纳米纤维薄膜
硫化钴镍纳米棒-静电纺丝碳纳米纤维复合薄膜
金球/多壁碳管/聚苯胺薄膜
三维多孔碳纳米管/石墨烯导电网络的柔性薄膜
三维镍纳米线薄膜
超顺排碳纳米管薄膜
金属掺杂DLC(Me-DLC)纳米复合薄膜
C-TiO_2和C-Ni-TiO_2复合薄膜
碳基架负载二氧化锰纳米片的复合薄膜
超润滑非晶碳膜
网状结构碳纳米管薄膜
二维碳基薄膜
石墨烯基纳米薄膜复合材料
超级电容器柔性可弯曲薄膜
三维石墨烯/多壁碳纳米管/纳米金铂复合膜(3DGN/MWCNT/Au-PtNPs)
多孔C/TiO2纳米复合薄膜
碳包覆磷酸铁锂薄膜
WC/类金刚石(DLC)/WS2纳米复合薄膜
yyp2021.3.25