黑磷/聚乙烯亚胺/半导体氧化物复合材料(Co3O4@BP-PEI)的制备方法
黑磷(BP)是一种新型单元素二维原子晶体材料。与石墨烯(GS)类似，BP的分子吸附能均比MoS2和GS大得多，这使BP在传感领域具有广阔的应用前景。
本发明黑磷/聚乙烯亚胺/半导体氧化物复合材料由黑磷、聚乙烯亚胺和半导体氧化物制成；所述半导体氧化物为氧化铜或四氧化三钴,其制备步骤如下：
步骤一、称取黑磷加入到二次蒸馏水，然后向蒸馏水中加入二甲基甲酰胺和二乙二醇二甲醚，进行超声震荡剥离0.5～1h后，定溶于1000mL容量瓶中得到薄层黑磷悬浊液
步骤二、向浓度为2g/L～5g/L的支链聚乙烯亚胺溶液中加入步骤一制备的薄层黑磷悬浊液，加入过程中保持机械搅拌，得到混合液；
步骤三、利用pH调节剂将步骤二得到的混合溶液的pH值调至9～9.2，搅拌0.5h～1h后进行超声0.5h～1h，重新校正混合溶液的pH值至9～9.2，然后向混合溶液中滴加浓度为2g/L～6g/L的半导体氧化物溶液，得到含半导体氧化物的溶液；其中，滴加半导体氧化物溶液的过程中保持混合溶液pH值为9～9.2
步骤四、向步骤三得到的含半导体氧化物的溶液中通入空气20min，然后利用pH调节剂将将含半导体氧化物的溶液的pH值调至12～12.2，继续通入空气2～5h，然后将含半导体氧化物的溶液超声0.5h～1h，重新利用pH调节剂将含半导体氧化物的溶液的pH值校正至12～12.2，最后将含半导体氧化物的溶液陈化24h～48h
步骤五、用水稀释步骤四陈化后的含半导体氧化物的溶液，并抽滤至滤液pH值为7，然后将抽滤所得固体产物置于150℃～250℃下进行水热合成反应2h～10h，即制得黑磷/聚乙烯亚胺/半导体氧化物复合材料
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