核壳结构的SiC@SiO2纳米线制备环氧/SiC@SiO2复合材料过程

使用像SiC纳米线(NWs)这样的新型具有优异物理性能的填充物，可以获得具有非常低的CTE，不匹配硅性质的新型电子封装复合材料。下文介绍核壳结构的SiC@SiO2纳米线制备环氧/SiC@SiO2复合材料过程。

1）制备核壳SiC@SiO2 NWs,将所需数量的SiC,NWs添加到石墨坩埚,放置在空气中的高频加热炉从室温加热到1500°C，加热时间分别维持在15、20、25和60秒。

在不同加热时间下SiC纳米线表面SiO2壳层的厚度变化情况

将所需数量的 Nd(III)acac 添加进一个脂环族的环氧树脂,随后在80°C三颈烧瓶中搅拌2 h。然后将均匀溶液冷却到室温。在一个超声水浴中，在乙醇中分离出所需量(0.5、1.0、1.5、2.0、2.5 wt %)，然后加入预测定的环氧树脂量在超声波环境下持续0.5小时。统一形成的混合物被放置在一个烧杯中在80°C水浴下机械搅拌,直到乙醇完全蒸发。将固化剂以100:95(环氧:固化剂)比例加入烧杯，搅拌20分钟。得到的混合物在真空烤箱中进一步脱气10分钟以去除气泡。最后,均匀分散SiC@SiO2 NWs的环氧树脂混合物在135°C下稳定 2 h，在165°C下稳定14 h。固化过程后，样品自然冷却到室温，然后用砂纸打磨成不同的形状。

实验结果表明添加2.5 wt%的SiC@SiO2 NWs在环氧树脂中,其导热系数达到了0.391 Wm-1K-1，相比纯环氧树脂提高了79.4%，SiC@SiO2 NWs相比于SIC NW的亲水性也有提高(如图1所示)，同时热稳定等性能也有一定程度地提高(如图2所示)。另外对比研究了SiC@SiO2纳米线与SiC纳米线对环氧树脂导热等性能的影响，环氧/SiC@SiO2复合材料的性能均优于环氧/SiC复合材料。这种新型环氧树脂复合材料将在电子封装等领域具有很好的应用前景。

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SiC碳化硅纳米线

镧/钇掺杂氮化硅纳米线

P纳米颗粒修饰SiC纳米线

Co-P纳米薄膜修饰SiC纳米线

SiC纳米线SiC纳米棒SiC晶须

碳化硅纳米线,SiC nhaiowires

Au纳米颗粒修饰SiC纳米线

超长碳化硅纳米线的化学修饰

La-N共掺SiC纳米线

La2O3修饰改性SiC纳米线

贵金属纳米粒子修饰SiC纳米线

Pt、Pd和Ag修饰SiC纳米线

原位生长SiC纳米线增强C/SiC复合材料

b掺杂sic纳米线

N掺杂SiC纳米线

疏水性非晶碳包覆层对SiC纳米线

3C-SiC纳米线

SiC纳米线修饰MoS2纳米片

六方柱状SiC纳米线

Si衬底上生长SiC纳米线

碳化硅纳米线增强C/CSiCZrB

SiC纳米线薄膜

柔性且超轻的SiC纳米颗粒修饰碳纤维垫

石墨烯/碳化硅纳米线复合材料

SiC纳米线改性环氧树脂

SiC纳米线/环氧树脂复合材料

SiC纳米线的改性

竹节状SiC纳米线

B掺杂SiC纳米线

碳纳米管碳化硅纳米线复合材料

碳化硅纳米线(SiCNWs)修饰偶联

超长碳化硅(SiC)纳米线

SiC纳米线增强SiCf/SiC复合材料

C/SiC复合材料表面制备SiC纳米线

定向排列的SiC纳米线的复合材料薄片

六棱柱状的SiC纳米线

SiC纳米线增强铝碳化硅复合材料

碳/碳复合材料SiC纳米线

SiC纳米线掺杂SiOC陶瓷粉体

碳化硅纳米线混杂增强钨酸锆/铝复合材料

SiC纳米线增强C/CSiCZrC陶瓷基复合材料

碳化硅纳米线增强石墨-碳化硅复合材料

碳化硅纳米线/碳纤维布复合材料

碳化硅纳米线/石墨烯泡沫电磁波吸收复合材料

SiC纳米线改性的CF/PI复合材料

具有表层网状分布碳化硅纳米线

SiC纳米线改性C/C复合材料

ZrB_2/SiC复合材料SiC纳米线增韧碳化硅纳米线(SiCNW)

核壳SiC@SiO2 NWs

双层石墨烯/碳化硅衬底上W6Te6范德华纳米线