近红外二区二硒化铜铟（CuInSe2）量子点作为一种半导体纳米材料也因其独特的性能而受到广大研究者的关注。I-III-VI 族量子点具有低毒性、窄的带隙、自吸收小、光吸收系数大、发光波长可调且范围大等优点在光催化产氢、降解有机污染物和重金属的移除、太阳能电池、发光二极管和生物标记成像等方面被广泛应用。铜铟硒(CuInSe2)量子点带隙为1.04 eV，激子玻尔半径达到10.6 nm，光吸收边缘达到近红外区域。因此，以CuInSe2（CISe）量子点为基础构造复合材料并对其改性研究进行光催化产氢和有机污染物的降解具有重要的研究价值。
近红外二区二硒化铜铟（CuInSe2）量子点制备方法：
(1) CISe量子点的制备及其掺杂改性研究：采用热注射方法合成出大小均一的油相 CISe 量子点。通过改变反应时间，得到发射波长可调的CISe 量子点，讨论了其形成机理；其次对CISe量子点进行了掺杂Zn和Ga元素的研究，改变反应时间得到多个发射波长的ZnCuInSe（ZCISe）和 CuInGaSe（CIGSe）量子点，随后采用表面配体交换的方式，对 ZCISe 量子点进行相转移，使其由亲油性转变为亲水性的量子点，通过改变谷胱甘肽和巯基丙酸的配比，得到具有较好稳定性和光化学性能的水相ZCISe量子点。最后利用透射电子显微镜（TEM）、多晶 X 射线衍射仪（XRD）、稳态瞬态荧光光谱仪、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪等仪器对不同条件下制备的各种量子点进行表征测试。
(2) CISe/TiO2纳米线复合电极的制备及其光电性能研究：以纯钛片为基底，采用水热法制备TiO2纳米线，随后使用浸泡法对纳米线进行CISe量子点的修饰，通过改变浸泡的时间，确定 CISe 最佳负载量。所得到的最优 CISe/TiO2纳米线复合电极进行扫描电子显微镜的表征和光电性能测试，发现 TiO2纳米线表面有大量的小颗粒负载，对该材料进行元素分析，发现该颗粒为CISe量子点，同时复合电极拥有的电流密度比单纯的纳米线大约强10倍，在不加电压，模拟太阳光照射的条件下对20 mg/L的甲基橙进行光降解测试，100 min内，降解效率达到了80%。
(3) CdS/ZCISe/Ag/TiO2复合电极的制备及其裂解水研究：从光转换效率和产氢的角度出发，构造CdS/ZCISe/Ag/TiO2复合电极。分别采用光沉积法、悬滴法和连续离子层吸附法进行 Ag 纳米颗粒、ZCISe 和 CdS 量子点的负载，钝化了ZCISe 量子点的表面缺陷，拓展了 TiO2纳米线的光吸收范围，提升了光电流密度。随后在模拟太阳光的照射下，采用三电极体系，以复合电极作为工作电极进行光解水测试，达到了平均1.17 mL/h的产氢速率。
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