上海金畔生物科技有限公司可以对各种材质的荧光量子点进行修饰和改性以及偶联和特殊定制，我们可以做各种聚合物修饰，多糖修饰，蛋白修饰以及复合类产品的量子点复杂定制。

双硫腙包覆CdTe碲化镉量子点的的描述：

CdTe量子点表面包覆双硫腙,由于双硫腙与CdTe量子点之间发生荧光共振能量转移使得CdTe量子点荧光猝灭,铜的加入与双硫腙形成双齿螯合物,使得CdTe量子点荧光能量转移被阻止,CdTe量子点荧光强度得以恢复,由此建立了一种荧光开关测定痕量铜的新方法,0.5mL双硫腙@CdTe量子点(Dit@CdTe),1.5mLpH7.5的Tris-HCl缓冲溶液中加入不同浓度的Cu2+,放置10min,于激发波长/发射波长为431nm/591nm下进行荧光测定,荧光增强强度与Cu2浓度在0.01～10.0μmol/L范围内呈良好线性关系,相关系数为0.9903,检出限为0.004μmol/L.方法用于实际水样中铜的测定,相对标准偏差小于6.8%,回收率在97%～105%之间,并且测定结果与电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定结果一致. 

双硫腙包覆CdTe碲化镉量子点的制备方法

取上述制备好的CdTe量子点0.1mL,加人25mL0.01mol/LNaOH溶液和1mL2mmol/L双硫腙(Dit)溶液,室温下振荡24h,反应后12000r/min离心10min,去掉上清液,洗涤3次，得到双硫腙包覆的CdTe量子点(Dit@CdTe)。

图1和图2分别为所合成的CdTe量子点及Dit@CdTe在Tris-HCl缓冲液中的发射光谱和吸收光谱。图1中曲线a是CdTe纳米粒子的荧光发射光谱,大荧光发射峰在591nm处;曲线b是Dit@CdTe的荧光发射光谱,然而由于CdTe发射光谱与CdTe-双硫腙复合物的吸收光谱重叠,导致CdTe量子点发生荧光共振能量转移，CdTe荧光发生猝灭。

为了评价上述方法对Cu2+的检测性能,不同浓度Cu2+加人到Dit@CdTe探针中,在佳条件下进行测定,随着Cu2+的加人荧光强度增强(图5),且荧光增强强度与Cu2+浓度在0.01~10.0μmol/L范围内呈良好线性关系,线性回归方程为OI=2.57+51.37c(μmol/L),相关系数为0.9903。通过对5.0μmol/LCu2+的检测,计算得相对标准偏差为4.8%;根据IUPAC规定,计算出检出限为0.004μmol/L。

中文名称：双硫腙功能化CdTe碲化镉量子点

英文名称：双硫腙@CdTe量子点

简称：Dit@CdTe

其它别称：CdTe量子点-双硫腙

纯度：98%

包装：mg级和g级

货期：一周

地址：上海

厂家：上海金畔生物科技有限公司

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