PbS硫化铅包覆钙钛矿CsPbI3量子点的电致发光LED制备方法(含结构图及高分辨透射电子显微镜图像)

一种基于硫化铅包覆钙钛矿量子点的电致发光LED,其特征在于:采用PbS包覆钙钛矿量子点改善其光电性能和稳定性并以此量子点材料作为发光层制备钙钛矿量子点电致发光LED;所述PbS包覆的钙钛矿量子点LED的结构包括:ITO玻璃作为底部电极;nZn0/聚乙烯亚胺作为电子传输层和空穴阻挡层PbS包覆的钙钛矿量子点作为发光层;p4,4',4”-(咔唑-9-)苯胺薄膜作为空穴传输层和电子阻挡层;MoO3/Au作为顶部电极。

一种基于硫化铅包覆钙钛矿量子点电致发光LED的制备方法,

一步、制备PbS包覆的CsPbI3量子点

二步、先后用肥皂、去离子水、乙醇、氯仿、丙酮、异丙醇仔细清洗ITO导电玻璃,并进。行紫外臭氧处理ITO作为底部电极:

三步、以每分钟1000转的转速Zn0量子点溶液旋涂在ITO玻璃上旋涂时间是1分钟然后在空气中以150C的温度退火10分钟再将上述薄膜转移到Nz手套箱中110°C的温度下以每分钟3000转的转速将溶解在2-甲氧基乙醇溶液中的PEI旋涂在Zn0薄膜时间是10分钟,Zn0/PEI层作为电子传输层和空穴阻挡层

四步、以每分钟1000转的速度将制备好的PbS包覆CsPbI3量子点旋涂在Zn0/PEI层上旋涂时间是1分钟作为发光层

五步、将上一步获得的结构转移到真空度为1X10~'torr的真空腔内依次通过热蒸发沉积TCTAMo03Au薄膜层其中TCTA层作为空穴传输层和电子阻挡层Mo03/Au层作为顶部电极由此获得PbS包覆钙钛矿量子点电致发光LED

PbS硫化铅包覆钙钛矿CsPbI3量子点的电致发光LED制备方法(含结构图及高分辨透射电子显微镜图像)

1本发明中基于PbS包覆钙钛矿量子点的电致发光LED的结构图

PbS硫化铅包覆钙钛矿CsPbI3量子点的电致发光LED制备方法(含结构图及高分辨透射电子显微镜图像)

2本发明中PbS包覆CsPbI3量子点的透射电镜图像(a)和高分辨透射电子显微镜图像(b)

上海金畔生物供应溶性钙钛矿量子点CsPbX3(X=Cl、Br、I),表面由疏水配体包裹的荧光纳米材料,平均的量子产率为70%,溶剂为正己烷,储存时应避免阳光直射,4度密封暗处保存,可以为客户订制生产400nm~650nm任一波长不同克数的产品。

Cs2AgBiBr6钙钛矿量子点

Cs3Bi2Br9钙钛矿量子点

二氧化硅包裹的钯掺杂无机钙钛矿量子点

CsPbX3(X=Cl/Br/I)钙钛矿量子点

油溶性钙钛矿量子点 高亮蓝紫光到红光 PL 400 nm — 650 nm

偶氮苯改性金属卤素钙钛矿量子点

钙钛矿量子点/介孔MOF5复合发光材料

CsPbBr3@PS聚苯乙烯钙钛矿量子点

烷基胺苯丙烯胺(PPA)钙钛矿量子点

MoS2/CsPbBr3二硫化钼钙钛矿量子点

CsPbBr3@Ag银修饰钙钛矿量子点

CsPbX3/ZnS Quhaitum Dot量子点

厂家:上海金畔生物科技有限公司