介绍酞菁铜吸收波长，（CuPc)600～750nm区域吸收波长光谱说明

酞菁铜CuPc

利用可变入射角、波长扫描和同步旋转起偏器、检偏器的全自动椭偏光谱仪研究了真空制备、不受溶剂影响的纯CuP℃薄膜的复介电函数、复折射率和吸收光谱，并对吸收光谱的成因作了分析。

迄今酞菁化合物的许多重要应用都是基于它们在600～750nm区域独特的光谱性质。对于固态酞菁薄膜，已知其固态通常有两种晶型：a和B型

 

以通过镀膜时基片保持较低温度而获得，B型可以通过镀膜时基片处于较高温度而获得或对α型薄膜进行热处理。这两种形态的晶格中包含了倾斜排列的酞菁分子叠堆，其中B型的环间相互作用大于a型。室温制备酞菁铜CuPc薄膜主要是a型，而且图4显示了典型的a型的Q带吸收：最大峰在600nm左右。的吸收光谱显示了在550～750nm区域的宽广吸收带，吸收系数a具有相同的数量级（在105cm-1尺度），在600nm处吸收系数的极大值为1.6365×105cm～1。酞菁铜CuPc固态酞菁化合物宽广的Q带与溶液中尖锐的Q带相差很大，这些光谱效应起源于相临酞菁环强烈的激子耦合，光谱展宽程度与相临酞菁环的耦合程度密切相关。耦合所引起的光谱性质决定于几个因素，诸如：环间距、重叠位置、环取向角、取代基大小及跃迁带的消光系数等。Q和B带跃迁也许还会受到其它带的影响，酞菁铜CuPc通常标记为金属至配位体的电荷转移带（简写为MLCT)或配位体至金属的电荷转移带（简写为LMCT)及其相互混合。这些电荷转移带的能量取决于酞菁分子中心金属的自旋及氧化状态。也示意给出了酞菁分子中可能存在的金属至配位体和配位体至金属的电荷转移过程。一旦电荷转移和配位体中心跃迁重叠，光谱更加复杂。电荷转移带同样会出现在Q带的长波区域。图5中780nm处的吸收蜂也许来源于电荷转移。

介绍酞菁铜吸收波长，（CuPc)600～750nm区域吸收波长光谱说明

酞菁铜CuPc

产地：上海

纯度：99%

用途：仅用于科研

供应商：上海金畔生物科技有限公司

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