基于芳香族酰亚胺的热激延迟荧光材料AI-Cz和Al-TBCz,可应用于高效有机发光二极管()

一种基于芳香族酰亚胺的热激延迟荧光材料应用于高效有机发光二极管,芳香族酰亚胺具有优异的光电性能和很强的吸电能力,

通过进一步优化设计具有供体-受体-供体结构的新型和有效的TADF分子结构,获得的芳族酰亚胺显示出高的PLQY,

它们的瞬态PL光谱具有明显的温度依赖性延迟性能,掺杂AI-Cz和Al-TBCz的OLED的性能突出,EQE分别高达23.2%和21.1%。

图1:芳香酰亚胺AI-Cz和AI-TBCz的化学结构

基于芳香族酰亚胺的热激延迟荧光材料AI-Cz和Al-TBCz,可应用于高效有机发光二极管()


AI-Cz和AI-TBCz的HOMO主要位于咔唑基部分,因为它们具有强的给电能力,并且LUMO由于其强吸电子性质而位于芳族酰亚胺部分上;这种清晰的空间电子分离可以有效地破坏电荷转移激发态的电子跃迁。

图2:AI-Cz及其二聚体的晶体结构

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相对于芳族酰亚胺部分,两个咔唑基彼此相邻,AI-Cz具有大的二面角。扭曲结构可以诱导HOMO和LUMO的电荷分离,并且还有效地防止由分子间堆积引起的固态荧光猝灭。

图3:能量密度的计算空间分布

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在氧化曲线开始和还原曲线开始的基础上,AI-Cz的HOMO和LUMO能级分别为-5.63和-3.55eV。同样的,AI-TBCz的HOMO和LUMO能级分别为-5.59和-3.42eV。AI-Cz和AI-TBCz的良好耐热性能对于器件中膜的高形态稳定性是必不可少的,其优异的电化学性能也有利于器件性能的提高。


图4:AI-Cz和AI-TBCz的吸收和荧光光谱以及它们在77K下的荧光和磷光谱图

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在其荧光光谱中也观察到在约455nm和465nm处的AI-Cz和AI-TBCz的短峰值波长,这可能归因于显示扭曲的分子内电荷转移的分子的局部激发态。 此外,发现AI-Cz和AI-TBCz的磷光带位于498和505nm,其相应的T1能级分别为2.49和2.46eV。


上海金畔生物科技有限公司提供金属配合物,热激活延迟荧光(TADF)材料,聚集诱导延迟荧光(AIDF)材料,聚集诱导发光AIE材料的定制合成

TADF分子Cz-TRZ1-4

Cz-TRZ1

Cz-TRZ2

Cz-TRZ3

Cz-TRZ4

含苯甲酰基TADF分子

TADF分子BP-PXZ

tCz-BP-PXZ

tCz-PhBP-PXZ

中间体tCz-BP-Br

中间体tCz-PhBP-F

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