湿化学方法合成铁离子催化合成CdSe /Cu核/壳纳米线（NWs）

下文对Cd Se/Cd S核/壳纳米线进行了制备,并探寻了CdSe /Cu核/壳纳米线的光学性质,为纳米材料在光学、光子学方面的应用奠定了基础。

CdSe / Cu核/壳纳米线（NWs）通过湿化学方法成功合成。通过利用溶液–液体–固体（SLS）机理，CdSe纳米线由Bi晶种制造，Bi晶种充当催化剂。在随后的CdSe NWs上的铜壳径向涂复中，已证明Fe离子是必不可少且有效的催化剂。通过改变生长温度（从300到360°C），可以将铜壳的厚度很好地控制在3至6 nm的范围内。

我们的合成策略开创了半导体–金属异质结构NW（尤其是II-VI半导体）的可控合成的新可能性，例如CdS / Cu，ZnS / Au和ZnO / Ag，它们在光电导体中具有广阔的应用前景。膜晶体管和发光二极管。从理论上讲 电子从较高的费米能级材料流到金属–半导体异质结界面处的最低费米能级，这使费米能级对齐并建立了肖特基势垒。它导致金属中过量的负电荷和半导体中过量的正电荷。因此，那些有效的电子陷阱有效地降低了光生电子–空穴对重组的可能性，这已广泛应用于太阳能电池，传感器，光催化和能量存储中。该合成方法的突破和创新，开辟了反应环境温和，能耗低，使用方便的新合成路线。它导致金属中过量的负电荷和半导体中过量的正电荷。因此，那些有效的电子陷阱有效地降低了光生电子–空穴对重组的可能性，这已广泛应用于太阳能电池，传感器，光催化和能量存储中。该合成方法的突破和创新，开辟了反应环境温和，能耗低，使用方便的新合成路线。它导致金属中过量的负电荷和半导体中过量的正电荷。

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