采用射频磁控溅射技术，在不同溅射功率下，在非晶玻璃衬底上制备了柱状结构的te掺杂pbse薄膜。

研究了溅射功率对薄膜结构和光电性能的影响。随着溅射功率从60 W增加到140 W，薄膜的择优取向从(200)转移到(111)。

光学表征表明，在近红外和中红外区吸收是有效的。

光电测试结果表明，碲掺杂pbse薄膜在红外光照射下具有快速稳定的光响应。

基于该薄膜的光敏电阻器件在反复的红外光开、关循环下表现出良好的灵敏度。

薄膜的电阻变化率超过13%，较高的溅射功率产生较好的灵敏度。

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