二维范德华异质结构的制备是提高二维材料光电性能的有效策略，为光电化学器件中光电阳极材料的设计提供了新的可能性。

采用液相剥离法和真空过滤法制备了过渡金属二卤代化物MoS2/WSe2异质结光电电极。

线性扫描伏安法、瞬态光电流和开路电位测量表明，异质结光电电极具有增强的光电流强度和改善的光响应活性。

此外，Nyquist阻抗图、Bode相位图和Mott-Schottky测量结果表明，异质结样品比MoS2和WSe2具有更高的电荷转移速率和更长的电荷寿命。

为了揭示机理，利用x射线光电子能谱和第一性原理计算建立了MoS2/WSe2异质结样品的能带排列。

因此，异质结光电阳极PEC性能的改善归因于MoS2和WSe2纳米片之间的内置电场，促进了光电产生的e-h对分离，抑制了它们的复合。

本工作验证了MoS2/WSe2异质结光电电极的PEC机理，对基于TMD异质结构的PEC器件的设计具有重要意义。

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